хватило понять идею, дальше сам.
Идея изобретателя не тривиальна. Шаблон: надо стабилизировать ТОК базы, а измерив ток эмиттера (коллектора) и разделив одно на другое, получим усиление по току.
Беда в том, что ток коллектора при этом может отличаться в десятки раз, а нам надо сравнить и найти пару при одном токе коллектора, а не базы т. е. в рабочем режиме.
Здесь "дикость" - стабилизируется НАПРЯЖЕНИЕ на базе. А для получения нужного тока коллектора в эмиттер ставится нужный резистор. Тогда, поскольку напряжение Б-Э примерно равно 0,5 В и изменяется мало, получаем на эмиттере стабильное напряжение относительно общего провода. Это напряжение поделённое на сопротивление в цепи эмиттера (которого нет в классической схеме) ОПРЕДЕЛЯЕТ ток эмиттера, он очень стабилен.
Да, знаю что напряжение Б-Э может быть и 0,7 и 0,9 В но это учитывается при подстройке и проблему не создаёт.
Точно менять и подстраивать номинал эмиттерного резистора невозможно (покажу на примере), да и не нужно.
Изюминка схемы в том, что мы ОЧЕНЬ ТОЧНО ПЛАВНО подстраиваем напряжение прецизионного TL431 на базе от 2,5 В и выше. Стабилитроном это сделать нельзя, с помощью резисторов - нельзя так как ток базы будет создавать падение напряжения. Можно бычным стабилизатором, но TL431 проще всего.
Пример. Нужен ток эмиттера (он почти равен току коллектора) 2 А. Резистор в эмиттере 1 ом. На TL431=2,5 В, пусть Б-Э=0,5 В. От тока базы эти цифры не зависят. Измерив его и поделив ток эмиттера на базовый, узнаем усиление.
Ставим другой транзистор. Напряжение Б-Э в этом же режиме у него будет очень мало отличаться, но пусть для примера разница будет чудовищной - целых 0,2 В (что при одном токе эмиттера невероятно). Тогда на резисторе в цепи эмиттера будет не 2 В, а больше или меньше на 10%. Ошибка измерения 10%. Поэтому хотя я и ставлю два тестера на токе - в эмиттер и базу, но практически достаточно одного. Сначала настроить, вернее точно подстроить ток эмиттера (вместо амперметра в базе перемычка), а потом переставить тестер в базу вместо эмиттера. Так будет ошибка, но не хочу поднимать архивы, 1...2%. Мне приходится из-за трех пределов и невозможности подстройки эмиттерного резистора 1 ом (на двух остальных пределах при меньших токах у меня есть подстроечники) името ток на точно 2,00 А. Но он не плавает, я просто считываю два тока и потом делю один на другой.
Считаем (не помню какой резистор у меня в эмиттере), пусть 1 ом. При токе 2 А получаем падение напряжения 2 В а мощность на резисторе 4 Вт, поэтому поставил обычный китайский "белый кирпич" на 5 Вт. Измерение усиления по току длится недолго, как можно быстрее, до первого подсчета тестером, это секунда, ну две, поэтому он не греется. Так коротко чтобы не грелся транзистор - его току зависят от температуры и некорректно сравнивать токи и усиление для холодного и нагретого транзисторов.
Надо учитывать падение напряжения на этом резисторе, обычно 2...3 В.
Для данного случая чтобы получить на транзисторе 30 Вт тепла, надо получить напряжение от источника питания 17 В, т. к. на К-Э будет 15 В.
И здесь всплыла проблема которой не было у автора при питании 5 В.
Сначала я сделал 7 В чтобы измерения усиления по току были при К-Э=5В.
Но здесь 17 В и резисторы и даже TL431 стали гореть.
Вернемся назад. Пусть при токе 3 А (мы хотим увидеть усиление при этом токе, а можно и при 5 А) усиление транзистора 30. Значит ток базы, а значит ток через TL431 будет 0,1 А Это предел для TL431 а на балластных резисторах к тээльке будет пусть (не хочу точно считать) 14 В. 14х14=289=300. Если резистор балласта к тээльке 200 ом, то это 1,5 Вт а я ставил 0,125 Вт...
Поэтому при эксплуатации в нестандартном режиме всплыли нюансы.
Это легко лечится, например, при повышенных напряжениях надо взять другой "стабилитрон" или промежуточную КРЕН на 5...8 В. Но это усложняет конструкцию, поэтому я как-то приспособился, но если делать с нуля, надо учесть.
ЕСЛИ ЖЕ не нужно ТОЧНО определять усиление при разных токах, а достаточно прожаривать транзистор на разных фиксированных мощностях, всё упрощается. Не нужна тонкая настройка и регулировка. Настраивается один раз на подобных транзисторах и всё.
ВАХ мощных транзисторов очень близки (кроме составных).
Понятно, что на ОЧЕНЬ разных токах коллектора, напряжение на Б-Э будет разное, например, 0,5 и 0,8 В. Но на одном токе оно будет мало отличаться, а эта разница даст погрешность в мощности несколько процентов, не более.
Поэтому приборчик может быть чуть другим, без настроек, но с переключателем, скажем, 10-30-50 Вт.
ПС2. Всмотрелся в сравнительную таблицу двух транзисторов. импорта 2CS5198 и нашего КТ819 с разными токами эмиттера . Отпала челюсть. У импорта с током базы усиление растет, у нашего делает горку на токе ниже среднего и рухает , как раз там, где надо бы побольше выдать. Мда....
У наших еще разброс огромный. С одной стороны хорошо - можно найти комплементарные пары если есть два мешка транзисторов, а у импорта, даже китайского, разброс у одной проводимости, очень мал.
Не буду читать что писал, наверняка много опечаток, но устал сегодня.
