Нагрев кристалла происходит не из за увеличения тока, а из за увеличения рассеиваемой мощности кристаллом! P=U*I. Вроде ничего не изменилось еще
Как раз при минимальном напряжении и максимальном токе нагрев кристалла будет не особо и большим. И таким образом оптимально снимать зависимость "Hfe" от "I", когда температура кристалла не изменяет Hfe.
Я отбраковку провожу так:
1. Проверяю на максимальное напряжение К-Э микротоками и смотрю когда начинается обратимый пробой. Если это напряжение меньше чем заявленное +20% - брак или левак.
2. Транзистор вешаю на бооооольшооооой радиатор без термопрокладок, только с термопастой. К коллекторной пластине - термощуп. В эмиттер сопротивление в 0,1Ом, даю средний ток (от даташита 50%) при минимальном напряжении. Помер - значит левак 10000%. Если выжил, то: Плавно увеличиваю ток до даташитовского +10%, Если выжил - увеличиваю напряжение до..... максимально возможного, что бы не выйти из ОБР и не превысить максимальную рассеиваемую мощность (контролируя температуру). Если выжил - отлично.
3. Замер "Hfe" от "I" при малом напряжении и большом токе и сравнение с даташитовким графиком. Если совпадает - отлично, если нет - перемаркер.
4. Если есть подлинный транзистор - сверяю емкости переходов.