JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="Святослав_, post: 139123, member: 1280"] Измерения частотных свойств по этому способу не корректны. Очень большое базовое сопротивление стенда вместе с входными емкостями, в том числе емкостью дяди Миллера, валит частотку. В выигрыше получаются маломощные, с меньшим кристаллом, и с меньшей бетой. А если источник сигнала, резистор между базой и эмиттером не 51 Ом, а , скажем, всего 10 или 5 Ом? Что вполне реально в жизни. Перезарядка емкостей будет быстрее. К этим 51 Ом надо добавить еще и выходное усилителя, подающего измерительный сигнал. В первой серии измерений в базе был резистор на порядок больше - 560 Ом. А если мощный выходной транзистор включен по схеме с ОК, а не ОЭ? Или имеется резистор местной ООС в его эмиттере? [/QUOTE]