JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="KSV, post: 325436, member: 532"] Мы докатились (вернее нас докатили) до того что не только транзисторы и ОУ, но уже второсортные микросхемы УНЧ надо проверять на [S]вшивость[/S] подлинность. Я здесь написал несколько статей про проверку. Можно так проверять и ИМС типа 2050, но вот только где критерии, КАК их различать? Одно дело если кристаллы в подделки ставят маленькие, значит надо терзать их максимальной мощностью, подделки сгорят. Другое дело если сама схема на кристалле упрощённая. Вероятно, тогда можно измерять их частотные свойства, быстродействие. Лучше сжечь подделки в испытательном стенде, чем они сгорят в работающем изделии. А относительно того что "разучились". Есть шанс что микросхемы перемаркировывают или "оптимизируют" техпроцесс. Ведь даже для ОТК важно только проверять некоторые параметры, что и как там в кристалле, не проверяют. Поэтому ИМС выпусков последних лет могут быть как лучше, так и хуже. Нужен стенд и проверять фактор который просто измерить. [/QUOTE]