JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="Конструктор, post: 199322, member: 1920"] Запросто. Что бы ни писали тут Схемотехники, усиливает биполярный транзистор всё-таки ток, а не напряжение. Для транзисторов с разным h21э нужно разное сопротивление резисторов вольтдобавки и разный коллекторный ток предвыходного каскада. Это тянет за собой изменение тока покоя входного каскада. При увеличении h21э выходных транзисторов внутрипетлевое усиление растёт, скорость нарастания выходного напряжения падает, т.к. увеличивается время перезаряда паразитных ёмкостей схемы током коллектора входного транзистора. Опять возвращаемся к задаче оптимизации. В случае с полевыми транзисторами на выходе все не так. Ток коллектора предвыходного транзистора не влияет на ток покоя выходных транзисторов ( напрямую, только косвенно). Поэтому режим по постоянному току можно накрутить любой. Ситуация со снижением скорости нарастания выходного напряжения при увеличении h21э лечится заменой резисторов 2к и 8.2к на источники тока. Тогда внутрипетлевое усиление ещё подрастёт, нелинейность управления транзисторами снизится, а режимы по постоянному току будут определяться этими источниками. Сопротивление резисторов ООС при этом желательно уменьшить в разы. Нет компьютера под рукой, не могу продемонстрировать в симуляторе. Кто сомневается, может проверить сам. [/QUOTE]