JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="slami, post: 135428, member: 986"] Про метод малых приращений я как раз знаю. Про второй метод ( где В=дельта Ik / дельта Ib ) на постоянном токе это тоже самое что измерение на синусоидальном сигнале, только на постоянном токе надо делать четыре измерения на близких токах (два тока коллектора и два тока базы), потом делать вычисление. На переменном токе происходит тоже самое, только устраняются промежуточные измерения и вычисления. Делается просто измерение двух переменных токов (коллектора и базы) и вычисляется отношение. [B]ТОЛЬКО[/B] в домашних условиях измерения на переменных токах достаточно неудобны, особенно малые токи, плюс помехи и наводки. Поэтому метод на постоянном токе не плохой, а просто немного сложнее в процессе, но легче в оборудовании. Во вторых современные транзисторы с их большим усилением сложнее измерить на переменном токе (малые токи). К тому же у современных транзисторов очень малые токи утечек. Для измерения усиления без поправок на токи достаточно чтобы ток коллектора превышал на порядок усиление умноженное на обратный ток коллектора ( Ik > 10 * Ikbo * B ), например возьмем BC547C (B=500, Ikbo=15nA), получим 10*500*0,015мкА=75 мкА - это минимальный ток коллектора при котором влияет ток утечки, поэтому современные транзисторы можно просто проверять на постоянном токе простым отношением коллекторного и базового тока. Современные мощные транзисторы также имеют малые токи утечки, поэтому достаточно измерить обратный ток коллектора и если он мал не беспокоиться об правильности метода измерений. P.S. усиление от пальцев тоже меняется, хотя не значительно, но у германиевых все таки лучше все учитывать [/QUOTE]