JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="KSV, post: 135468, member: 532"] Просто было на бумаге... (и в симуляторе) Вячеслав! Ну прямо стыдно за Вас. Зачем делать подмену тезиса? Говорить о транзисторах с ничтожными обратными токами и усилением в несколько сотен??? При чём здесь BC547??? Это всё касается ТОЛЬКО Si транзисторов. Я подчеркивал, что пишу про измерения ГЕРМАНИЕВЫХ транзисторов. Ну нету их новых (были бы они так уж хороши, не прекратили бы их массовый выпуск). Нету у старых Гэ транзисторов ни высоких усилений, ни пико-нано обратных токов. Логично, что производители всяких новых тестеров игнорируют Гэ транзисторы и они могут показывать всё что угодно, даже обратный ток в половину эмиттерного. При желании можно создать тестеры типа Л2-23 или попроще, но они никому не нужны, это экономически невыгодно. В принципе, даже я представляю как "на коленке" сделать приличный измеритель Вст для Гэ транзисторов с удовлетворительной точностью, но не хочу заниматься бессмысленным делом. Для измерений же Si маломощных транзисторов годится любой китайский тестер. Дело в том, что точное абсолютное значение усиления для нас не важно, всё равно транзистор никогда не работает в режиме "полного" усиления, всегда есть ООС, в том числе и местная. Нам важно прикинуть примерное усиление, да подобрать иногда пару, а здесь достаточно пусть врущей, но одинаково, измериловки. Отдельный и действительно вадный вопрос - это усиление мощных транзисторов при больших и разных токах. Как это сделать, я уже писал в отдельной статье, но ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ никого не интересует, лучше просто поболтать НИ О ЧЁМ. [/QUOTE]