JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="KSV, post: 45497, member: 532"] Из справочного листка на 2SC3281 напряжение насыщение не более 3 вольт при токе базы 1 А и коллектора 10 А. Я увеличил график из которого можно посмотреть что будет при токе 4 А. [ATTACH type="full" alt="3281.png"]14874[/ATTACH] Но и из него трудно уловить норму. Здесь насыщение 0,5 В при токе 10 А, а при 4 А на глаз примерно 0,17 В. Но это типовое значение, а допускается втрое больше, вот и гадай подделка или третий сорт. У транзисторов из Чипа и Дипа лучше линейность усиления при токах 20-200-2000 мА, напряжение насыщения 125 и 126 мВ - тоже отлично. Но подделка тоже входит в допуск, хотя кристалл крошечный, тепловая мощность намного меньше, нет и речи о 150 Вт, горит и от 50...60 Вт. Но предположу (испытывать надо) ватт 30 выдержит и часто этого достаточно. Усилитель JLHood 1969. Пусть питание 20 В и ток 2 А (для нагрузки 4 Ом). Тогда на каждом транзисторе по 20 Вт тепла - не так уж много. А вот в лабораторном БП с режимом стабилизации тока 2 А и напряжением около 30 В они горят как спички т. е. 60 Вт их убивает сразу. Если устроить им тепловой удар до перегорания, можно примерно оценить порог мощности поддельных транзисторов (в целом - неплохих) чтобы знать куда их можно ставить, куда - нет. Схемное решение весьма простое - вариант схемы из #1. [/QUOTE]