JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="slami, post: 45665, member: 986"] X и V - плохо и хорошо Насчет напряжения Б-Э, у транзисторов думаю будет определенная пропорция К-Э и Б-Э именно при насыщении, так как если просто Б-Э это как диод прозванивать, а в насыщении, если представить эквивалентную схему, то переход Б-Э состоит и базового и эмиттерного резистора и при прозвонке Б-Э работает только базовый резистор, так как эмиттерный резистор меньшего сопротивления и при базовом токе его влияние незначительно. А вот при насыщении падение на базом и эмиттерном резисторах складываются. Плюс №1, это то если кристалл транзистора транзистора (условно поддельного) меньшей площади, но лучшего насыщения К-Э, именно повышенное напряжение Б-Э покажет это. Плюс №2, тепловое сопротивление, которое сильно влияет на температуру кристалла, соответственно именно напряжение Б-Э при нагреве кристалла будет сильнее уменьшаться., есть даже методы испытаний транзисторов, где по падению именно Б-Э перехода измеряется температура самого кристалла (при стабильном токе базы) P.S. Руки зачесались сделать импульсную схему (выше по постам), где можно напряжение К-Э одним каналом осциллографа измерить, Б-Э вторым каналом. Особенно это удобно цифровым осциллографом. [/QUOTE]