JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="Святослав_, post: 375387, member: 1280"] Чудернацький цей "карбід", [B]UJ3N065080K3S, [/B]як сало без хліба. Паспортні характеристики вражають. 190 Вт, 32 А, 650 В. Паспортні ВАХ всього до 10 В. Отже, зняв на першому з двох транзисторів його характеристику до 30 В. Щоб подивитись, де ставити їм робочу точку в однотакті. Вимальовується такий режим: 20 V Uds, Id=4A, Ugs=-8,5 V. При цьому він розсіюватиме Pd=80 W, що становить 42 відсотки від паспортної межі. Власне, починати годиться саме від властивостей транзистора, а вже потім готувати йому схеми. Яких може бути декілька. Як видно з аналізу ВАХ, крутизна в районі робочої лінії навантаження 4 Ом становить близько 4,25 А/В. Що простои чудово. І знову, як і у випадку з СІТами КП801, КП802, робоча зона попадає в проміжну область ВАХ. Проміжну між тріодними і пентодними ВАХ. Лінія зміщення -9 В чисто "тріодна" пряма, -8 В плавно вигинається в "пентодну". Другий транзистор виявився практично ідентичним першому, різниця менша за похибку вимірювань. [ATTACH alt="IMG_20250320_093807_771.jpg"]128524[/ATTACH] [/QUOTE]