JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="vitamir, post: 258802, member: 930"] Гарна робота. Але, є два нюанси. Режим першого каскаду неоптимальний, тому, є сенс погратися номіналом резистору R1. Ді апазон від 100 кОм до 910 кОм. Збільшувати його доти, доки зростатиме підсилення в петлі. Контролювати за рівнем напруги сигналу на виводі 6 мікросхеми, в інвертуючому включенні. Після, відсиметрувати обмеження сигналу на виході, додавши резистор від виводу 7 мікросхеми на загальний провід. Номінал приблизно 33...39 ком. Потім знову підібрати корекцію. С4 десь близько до оптимального, 68...75 пФ. С5 не потрібен зовсім. Можна додати 33 пф між 12 і 6 виходами мікросхеми. Також конденсатор 220 пФ між виводом 8 і загальним проводом і резистор Ом 200 послідовно зі входом. Також, має сенс збільшити ємність до 2200...3300 мкФ і охопити роздільний конденсатор на виході додатково загальним зворотнім зв'язком за допомогою резистору 3.3...3.9 ком. Підсилення впаде вдвічі, але то легко зкорегувати. Успіху Вам і творчої наснаги [/QUOTE]