JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="vitamir, post: 288759, member: 930"] Повторю ще раз, існує параметр транзистора, що позначається в дейташитах як fT. Це частота, на якій коефіцієнт передачі струму сигналу транзистором в схемі з загальним колектором падає до одиниці. Освічені схемотехніки мають звертати увагу саме на цей параметр, якщо транзистор працює як емітерний повторювач на виході підсилювача. fT залежить від струму колектора, близько до зворотньопараболічного закону. Графіки поважні виробники наводять в дейташитах. Тобто, як на малих, порядку десятків-сотень міліампер, так і на великих, порядку одиниць ампер, fT зменшується. Максимальний струм, який допустимо знімати з транзистора, що працює в ЕП на виході підсилювача значно менший за максимальний постійний струм, обумовлений ОБР. Разів у три..п'ять. А реальність сувора і навантаження потребує певного струму і візьме ж його, без сумніву. Тому паралелять транзистори, виходячи з цих обмежень. Все інше не варте уваги, в тому числі аргументи нібито авторів корвету. Також, з огляду на fT, не варто робити режимний струм вихідного транзистору занадто низьким. Тому всі ці недопересупер-а зло. Драйверу також живеться при цьому не легко, але, така його доля. [/QUOTE]