JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="Святослав_, post: 401842, member: 1280"] Наразі розпочав детальне вимірювання транзисторів КП802А із посереднім струмом. Які не пішли на квартети в цирклотрони, або на пари в однотактні підсилювачі. Таких небагато, всього 7 штук. Обстежую їх з прицілом використання в драйвері однотакта, де на виході буде більш струмовий, все той же КП802А. На графіку вкладення ВАХ першого з них, N2* . На графіку відмітив дві робочі точки. Точка 2 це зміщення -1 В, струм 0,53 А, напруга джерело-витік 25 В. Лінія навантаження відповідає стоковому резистору 36 Ом. При девіації напруги на затворі від 0 до -2 В розмах напруги на виході буде 32-13=19 В. Чого для вихідного каскаду буде більш ніж досить. Підсилення такого каскаду скромне, всього (32-13)/2=9,5 раз. Якщо в якості навантаження взяти генератор струму, то підсилення виросте до максимально можливого, до тріодного "мю", яке в даному випадку становитиме 17,5 раз. Внутрішній опір цього тріода, обчислений по прямій лінії зміщення -1 В, становить 31,3 Ом. Крутизна обчислюється як 0,38 А/В. Що трохи не узгоджується з показником "мю", знятому по ВАХ. Бо 31.3х0,38=11,9, а не 17,5. Але це не принципово. Випадково подав на цей транзистор струм 2,52 А при стабілізованій напрузі джерело-витік 30 В. Зміщення при цьому було +0,4 В. Протягом хвилин п'яти на транзисторі розсіювалась потужність 75 Вт, при максимальній за паспортом 40 Вт. Радіатор був розпечений. А транзистору пофіг. Охолодив, виміряв знову - параметри не змінились. Знімаю капелюха перед розробниками технології SІТ-JFET транзисторів [ATTACH alt="КП802А_2+_.jpg"]141141[/ATTACH] [/QUOTE]