SE на JFET "карбіді" UJ3N065080K3S

[Святослав_]

Чудернацький цей "карбід", UJ3N065080K3S, як сало без хліба.
Паспортні характеристики вражають. 190 Вт, 32 А, 650 В.
Паспортні ВАХ всього до 10 В. Отже, зняв на першому з двох транзисторів його характеристику до 30 В.
Щоб подивитись, де ставити їм робочу точку в однотакті.
Вимальовується такий режим: 20 V Uds, Id=4A, Ugs=-8,5 V.
При цьому він розсіюватиме Pd=80 W, що становить 42 відсотки від паспортної межі.
Власне, починати годиться саме від властивостей транзистора, а вже потім готувати йому схеми.
Яких може бути декілька.
Як видно з аналізу ВАХ, крутизна в районі робочої лінії навантаження 4 Ом становить близько 4,25 А/В.
Що простои чудово.
І знову, як і у випадку з СІТами КП801, КП802, робоча зона попадає в проміжну область ВАХ.
Проміжну між тріодними і пентодними ВАХ.
Лінія зміщення -9 В чисто "тріодна" пряма, -8 В плавно вигинається в "пентодну".
Другий транзистор виявився практично ідентичним першому, різниця менша за похибку вимірювань.

 

[jpatay]

Власне, починати годиться саме від властивостей транзистора, а вже потім готувати йому схеми.
Яких може бути декілька.

Малюйте схему, я попробую замакетити, поки ще на городі роботи немає.