СМЕРШ
1 ранг
- Регистрация
- 30 Янв 2024
- Сообщения
- 2,723
- Реакции
- 3,021
- Баллы
- 118
- Страна
- Poland
- Город
- Stargard
- Предупреждений
- 17
КТ315 — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n-проводимости в корпусе KT-13, получивший самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.
В 1966 году Министр электронной промышленности СССР А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ.
Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.
Из истории внедрения этого замечательного транзистора:
"Как у него это было принято, А.И. Шокин ждать смежников не стал, и в 1968 г. в короткие сроки в НИИ «Циклон» были созданы две модели электронных клавишных машин: «Электроника ДД» и «Электроника 68». В одну ЭКВМ шло сразу около 400 транзисторов КТ315 плюс 700 диодов и 1400 резисторов и конденсаторов.
Кроме того, были разработаны новые клавиши, газоразрядные индикаторные лампы, германиевые диоды с малым обратным током утечки, мощные диоды и транзисторы для источников питания, нашедшие потом широкое применение в другой аппаратуре. Выпуск 7-10 тыс. ЭКВМ в год позволил отработать технологию массового производства транзистора КТ315 и других компонентов, а заодно обеспечивать свои предприятия настольной бесшумной бухгалтерской техникой.
Отработанный технологический процесс изготовления транзисторов КТ315 явился базовым уже к 1973 году он лег в основу создания более 20 типов серийных полупроводниковых приборов, многие технические решения этого проекта нашли продолжение в производстве интегральных микросхем. К началу 90-х годов суммарный объем выпуска транзисторов КТ315 на четырех заводах отрасли составил около 7 миллиардов штук, сотни миллионов было поставлено на экспорт, лицензия на технологию производства и комплект оборудования были проданы за рубеж."
Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах, и широко использовались в электронной аппаратуре бытового и промышленного назначения, а также радиолюбителями.
Отличия гражданских и военных версий
Одной из особенностей транзисторов КТ315 является наличие двух основных категорий исполнения: гражданского и военного. Гражданские версии предназначались для использования в бытовых электронных устройствах и промышленной автоматизации. Военные же варианты имели повышенные требования к стабильности параметров, устойчивости к внешним воздействиям и срокам службы. Как правило, они проходили дополнительную проверку качества и маркировались специальными обозначениями, отличающими их от гражданских аналогов.
Разница между этими версиями заключалась главным образом в точности изготовления, строгих допусках на основные электрические параметры и условиях эксплуатации. Например, военные модификации могли выдерживать большие температуры и механические нагрузки, что делало их незаменимыми в сложных климатических зонах и экстремальных условиях.
Современное состояние
Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны кристалла, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная.
Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления.
Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 2 раза (ГТ308 — 120 МГц, КТ315 — 250 МГц), по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле.
Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний, как материал, позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.
Транзистор выпускался на нескольких предприятиях, включая «Электроприбор» (Фрязино), «Квазар» (Киев), «Континент» (Зеленодольск), «Кварцит» (Орджоникидзе), ПО «Элькор» (Нальчик), НИИПП (Томск), ПО «Электроника» (Воронеж). В 1970 году производство также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI. К началу 1990-х годов общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов штук.
На 2026 год транзистор продолжает выпускаться на нескольких российских предприятиях.
Хороший транзистор, много вещей на нём попаяно, в тч, СМД-способом )), и, главное, он превосходил паспортные 100 - 100 -100:
бетту имел до 250,
Укэ0гр - до 120 В, не одновременно с высокой беттой,
работал у меня с импульсными токами в 500 мА (так сложилось).
В 1966 году Министр электронной промышленности СССР А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ.
Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.
Из истории внедрения этого замечательного транзистора:
"Как у него это было принято, А.И. Шокин ждать смежников не стал, и в 1968 г. в короткие сроки в НИИ «Циклон» были созданы две модели электронных клавишных машин: «Электроника ДД» и «Электроника 68». В одну ЭКВМ шло сразу около 400 транзисторов КТ315 плюс 700 диодов и 1400 резисторов и конденсаторов.
Кроме того, были разработаны новые клавиши, газоразрядные индикаторные лампы, германиевые диоды с малым обратным током утечки, мощные диоды и транзисторы для источников питания, нашедшие потом широкое применение в другой аппаратуре. Выпуск 7-10 тыс. ЭКВМ в год позволил отработать технологию массового производства транзистора КТ315 и других компонентов, а заодно обеспечивать свои предприятия настольной бесшумной бухгалтерской техникой.
Отработанный технологический процесс изготовления транзисторов КТ315 явился базовым уже к 1973 году он лег в основу создания более 20 типов серийных полупроводниковых приборов, многие технические решения этого проекта нашли продолжение в производстве интегральных микросхем. К началу 90-х годов суммарный объем выпуска транзисторов КТ315 на четырех заводах отрасли составил около 7 миллиардов штук, сотни миллионов было поставлено на экспорт, лицензия на технологию производства и комплект оборудования были проданы за рубеж."
Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах, и широко использовались в электронной аппаратуре бытового и промышленного назначения, а также радиолюбителями.
Отличия гражданских и военных версий
Одной из особенностей транзисторов КТ315 является наличие двух основных категорий исполнения: гражданского и военного. Гражданские версии предназначались для использования в бытовых электронных устройствах и промышленной автоматизации. Военные же варианты имели повышенные требования к стабильности параметров, устойчивости к внешним воздействиям и срокам службы. Как правило, они проходили дополнительную проверку качества и маркировались специальными обозначениями, отличающими их от гражданских аналогов.
Разница между этими версиями заключалась главным образом в точности изготовления, строгих допусках на основные электрические параметры и условиях эксплуатации. Например, военные модификации могли выдерживать большие температуры и механические нагрузки, что делало их незаменимыми в сложных климатических зонах и экстремальных условиях.
Современное состояние
Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны кристалла, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная.
Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления.
Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 2 раза (ГТ308 — 120 МГц, КТ315 — 250 МГц), по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле.
Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний, как материал, позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.
Транзистор выпускался на нескольких предприятиях, включая «Электроприбор» (Фрязино), «Квазар» (Киев), «Континент» (Зеленодольск), «Кварцит» (Орджоникидзе), ПО «Элькор» (Нальчик), НИИПП (Томск), ПО «Электроника» (Воронеж). В 1970 году производство также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI. К началу 1990-х годов общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов штук.
На 2026 год транзистор продолжает выпускаться на нескольких российских предприятиях.
Хороший транзистор, много вещей на нём попаяно, в тч, СМД-способом )), и, главное, он превосходил паспортные 100 - 100 -100:
бетту имел до 250,
Укэ0гр - до 120 В, не одновременно с высокой беттой,
работал у меня с импульсными токами в 500 мА (так сложилось).
