TIP31C

LDS

1 paнг
Регистрация
5 Июл 2019
Сообщения
4,995
Реакции
3,127
Репутация
142
Возраст
38
Страна
Украина
Город
Сумская обл.
Имя
Дмитрий
tip31c .jpegtip31c .jpg
Характеристики:
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 3 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 50
Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Корпус: TO-220
 

Вложения

  • TIP31C - Mospec Semiconductor.pdf
    195.7 KB · Просмотры: 244
Регистрация
12 Ноя 2019
Сообщения
28,091
Реакции
13,446
Репутация
395
в схеме с общим эмиттером наши Кт835 837 808 и ихние BD911 KD501 - все до 100- 120 кгц. КТ805 не было в коллекции, но не думаю, что там сильно выше по частоте.
 

Статистика форума

Темы
3,014
Сообщения
228,562
Пользователи
2,343
Новый пользователь
Рамиль
Сверху Снизу