JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="АВК, post: 291562, member: 2191"] НЕУЛО, свои заначки транзисторов я переберу попозже, когда ВСЁ утрясётся. А пока у меня НУ ОЧЧЧЕНЬ БОЛЬШИЕ НЕПОНЯТКИ. 1) интуитивно ЧУЮ, что если оставить в Шушурине ВСЕ родные транзисторы, а поменять ВСЮ коррекцию на такую, какая у тебя в ранней схеме ( похожей на моё "творчество"), то получается ПРАКТИЧЕСКИ ТАКОЕЖЕ качество, как и на твоих графиках, которые с заменой транзисторов. 2) М Васильев как то писал, что оптимально выход и предвыход транзисторы вставить их с усилением в Дарлингтон побольше, а в Шиклай поменьше. Вот я ТАК это запомнил. Всё равно у транзисторов при их подборе есть какой то разброс, так вот это разброс можно ОПТИМАЛЬНО учесть и поставить в разные плечи ВК. Вот у меня разброс в 2 раза у кт801 3) ты уменьшил эмитерные резисторы у выходников с 0,5 до 0,33 ома. Так вот, ИДЕЯ - поскольку у меня стоят такие резисторы и нихром и манганин, причём у манганина витков намного больше. Так вот, если их порезать вдвое, то всюду будет манганин, по 0,25-0,2 ома А если его скрутить тугой спиралью, тоесть меньшего диаметра, то у него на мегагерцах будет большая индуктивность - т.е. будет дроссель на ВЧ - от возбудов. Так вот, если выходники с ТАКИМИ уменьшенными по номиналу резисторами будут, то по Сельфу, искажения они дадут меньше. Тоесть ещё ПЛЮС. Далее, а если в выходнике сделать локальную ООС, ну как у того же Сельфа, то вообще всё будет ШИКАРНО. Это как я рисовал, но ты написал, что НЕнадо. Так вот, если взять всё в комплексе, то, думаю, и без смены транзисторов, тоесть с изменённой коррекцией, подобранными как я выше написал транзисторами и локальной ООС на уменьшенных эмитерных резисторах полученные параметры будут не хуже как на твоих графиках. К сожалению ты поторопился и уже загубил (переделал) вторую плату - для чистого эксперимента, который бы подтвердил то, что я тут написал.... :-( [/QUOTE]