Храм святого Германия.

Трансформаторы - совсем не вариант
 
Трансформаторы - совсем не вариант
Для управления низкочастотными транзисторами транс - самый оптимальный вариант.
" Лёлик, но это же неэстетично… — Зато дёшево, надёжно и практично!"
 
А ежели привязать транс к палЬке, то тады энта получаицца струмент ударистого действа.
Ощень пользительная штука!
ПРАКТИЧЕСКАЯ !!!
 
А бывают нормальные схемы без применения МП37 и подобных и ГТ402, 404?
Бывают- Худ1969, Армстронг (с фазовращательным каскадом, даже КИТы продают).
Цирклотроны.
Можно использовать кремниевые n-p-n транзисторы в паре с германием (давно так делают)))....
 
Вопрос - а КАКОЙ ЗВУК будет у пары в ВК, из комби германия с кремнием ?
 
Вопрос - а КАКОЙ ЗВУК будет у пары в ВК, из комби германия с кремнием
Да ни какой разное напряжение нужно прилагать к открытию транзистора и его закрытия.
 
КАКОЙ ЗВУК будет у пары в ВК, из комби германия с кремнием ?
Легко проверить- в одном канале заменить МП37 на кт315 на проводках в Аккорде (и иже с ним) и аккуратно увеличить напряжение смещения (добавить резистор последовательно термо или диод))).
И предать анафеме!
 
Последнее редактирование:
А просты перетыком.
 
Это справедливо только для материала с собственной проводимостью. В транзисторах проводимость примесная и подвижность носителей зависит от концентрации примеси. Чем больше концентрация тем ниже подвижность. Ge транзисторы - приборы с высокой степенью концентрации, Si транзисторы с низкой. Причина в технологии. Практически все Ge транзисторы выполнены по сплавной технологии и ее мутациям, что приводит к высокой степени концентрации примеси и как следствие к низкой подвижности носителей и низкому быстродействию. Si транзисторы планарные, концентрация носителей низкая, как следствие подвижность носителей остается близкой к подвижности у материала с собственной проводимостью. И как следствие подвижность носителей в Si планарных транзисторах гораздо больше оной в Ge сплавных. Со всеми вытекающими.
 
Элементная база определяет схемотехнику. В природе существуют германиевые НЧ сплавные с Uce 30 - 40 В NPN и PNP, ВЧ конверсионные с Uce 30 -45 В PNP, мощные НЧ сплавные PNP и один тип NPN (ГТ705) и ВЧ PNP диффузионно сплавные с Uce более 30 В.

ВЧ NPN диффузионно сплавные c Uce более 15-20 В на германии видимо технологически невозможны. Я по крайне мере таких не знаю. Ни производства СССР ни зарубежного.
 
Существует несколько типов планарных NPN транзисторов на германии, один тип точно знаю ГТ311. Но там какой то затык с напряжением Uce. Высоковольтные и высокочастотные не получаются. На кремнии проще и дешевле. И ОБР у кремниевых шире. Для мощного транзистора один из важнейших параметров. Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны.
 
Лампы и транзисторы не понимают что они усиливают музыкальный сигнал. Лампы и транзисторы реагируют на изменение потенциала сетка катод и база эмиттер изменением анодного и коллекторного тока соответственно. Лампе и транзистору абсолютно безразлично на чем сделана сборка, на советском стеклотекстолите или фашистском шасси. Для того чтобы лампы и транзисторы адекватно реагировали на управляющий сигнал должны применяться схемотехнические решения учитывающие особенности ламп и транзисторов, а не установка на фашистском шасси.
 
В транзисторных усилителях земля разделена на сигнальную и силовую, и объединяются эти земли у входного разъема. При невыполнении этих условий получим неустранимый фон и как бонус высокий уровень искажений. Кстати двухполярное питание позволяет просто и элегантно разделить земли. Еще одна особенность транзисторных усилителей - очень большие и резко нелинейные токи в цепях питания. Это также приводит при некорректной топологии платы к высоким искажениям. Причина - формирование силовых контуров большой площади, магнитное поле которых наводит помеху на слаботочные цепи, в том числе через малосигнальную землю. Это тоже приводит к значительным искажениям. Также можно упомянуть бестолковую коррекцию, что встречается в большинстве промышленных и любительских усилителей. В общем все имеет материальную причины и как следствие вполне материальные способы устранения. А вовсе не эзотерику и прочую чертовщину проповедываемую некоторыми индивидуумами.
 
комби германия с кремнием
Могут быть с параллельным включением (для повышения мощности и улучшения ОБР), так и с последовательным (дарлингтон\шиклаи) с малым резистором б-э выходных транзисторов. Можно потренироваться на П605+КТ___ (pnp) или КТ816\817 +П214.
Сочетание классов АВ(А)+С.
 
Последнее редактирование:

Статистика форума

Темы
3,196
Сообщения
248,065
Пользователи
2,455
Новый пользователь
Станислав В..
Назад
Сверху Снизу