Храм святого Германия.

[alexsan]

А бывают нормальные схемы без применения МП37 и подобных и ГТ402, 404? Чтобы никакого германиевого n-p-n

Только с трансформатором согласующим и на выход.

 

[Springback]

Трансформаторы - совсем не вариант

 

[Samodelkin]

Трансформаторы - совсем не вариант

Для управления низкочастотными транзисторами транс - самый оптимальный вариант.
" Лёлик, но это же неэстетично… — Зато дёшево, надёжно и практично!"

 

[АВК]

А ежели привязать транс к палЬке, то тады энта получаицца струмент ударистого действа.
Ощень пользительная штука!
ПРАКТИЧЕСКАЯ !!!

 

[Динозавр]

А бывают нормальные схемы без применения МП37 и подобных и ГТ402, 404?

Бывают- Худ1969, Армстронг (с фазовращательным каскадом, даже КИТы продают).
Цирклотроны.
Можно использовать кремниевые n-p-n транзисторы в паре с германием (давно так делают)))....

 

[АВК]

Вопрос - а КАКОЙ ЗВУК будет у пары в ВК, из комби германия с кремнием ?

 

[NEULO]

Вопрос - а КАКОЙ ЗВУК будет у пары в ВК, из комби германия с кремнием ?

никакой будет.

 

[alexsan]

Вопрос - а КАКОЙ ЗВУК будет у пары в ВК, из комби германия с кремнием

Да ни какой разное напряжение нужно прилагать к открытию транзистора и его закрытия.

 

[Динозавр]

КАКОЙ ЗВУК будет у пары в ВК, из комби германия с кремнием ?

Легко проверить- в одном канале заменить МП37 на кт315 на проводках в Аккорде (и иже с ним) и аккуратно увеличить напряжение смещения (добавить резистор последовательно термо или диод))).
И предать анафеме!

 

[alexsan]

А просты перетыком.

 

[Динозавр]

А просты перетыком.

Стеклянный можно сломать(

 

[Александр 4]

Можно использовать кремниевые n-p-n транзисторы в паре с германием (давно так делают)))....

У Перепелкина во второй схеме именно так и сделано.

 

[Владимир Перепелкин]

"Электроны движутся в германии почти в три раза быстрее, чем в кремнии, когда температура этих материалов близка к комнатной."

Это справедливо только для материала с собственной проводимостью. В транзисторах проводимость примесная и подвижность носителей зависит от концентрации примеси. Чем больше концентрация тем ниже подвижность. Ge транзисторы - приборы с высокой степенью концентрации, Si транзисторы с низкой. Причина в технологии. Практически все Ge транзисторы выполнены по сплавной технологии и ее мутациям, что приводит к высокой степени концентрации примеси и как следствие к низкой подвижности носителей и низкому быстродействию. Si транзисторы планарные, концентрация носителей низкая, как следствие подвижность носителей остается близкой к подвижности у материала с собственной проводимостью. И как следствие подвижность носителей в Si планарных транзисторах гораздо больше оной в Ge сплавных. Со всеми вытекающими.