JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="АВК, post: 282047, member: 2191"] Тоесть, как я понял - если в дифкаскаде 2е плечо коллектором сидит в питании, а сигнал только с коллектора 1го транзистора, то та де фигя ? А если вход дифкаскадом типа цирклотрона, тоесть задействованы в усилении оба транзистора дифкаскала, то и усиления больше и ООС сильнее, именно от большего усиления. И, соответственно, это большее усиление посредствам ООС даёт большой выигрыш в искажениях. Ладно, но ведь можно на вход поставить не слабый транзистор, а супер, типа кт3102Е. И можно запитать этот транзистор не с питания, а с выхода, из пол питания между выходниками. Заодно на этот эмитер и ООС прийдёт. И что, вот ТАК всё равно хуже, чем дифкаскад ? И что, у Сельфа или Шкритека есть разбор ТАКОГО вопроса ? Это я к тому, что как я понял во всех книгах авторы тупо проповедуют свою точку зрения. Типа - ТАК, правильно. А все остальные варианты НЕ правильны. И совсем нет сравнений разных вариантов. У всех основном так. Мало разборов вариантов. [/QUOTE]