Выбор транзисторов для усилителя

  • Автор темы Автор темы slami
  • Дата начала Дата начала
Возбуд транзистора, у БП на выходе электролиты
Керамику (не пленку) на выход БП подсовывал, возбуд на коллекторе 66 кГц не явное (частоту осциллограф такую показал), а какое-то изменяющееся, как бы пропадающее, наверное 2-3 нФ сорвало бы его. Здесь еще нюанс - провода от мультиметров и БП длинные, возможно из-за них.
Магазин безреактивный
Даташит такой есть
Испытание 2SA1232.GIF


Испытание КП958А и КП972А
КП958А_.pngКП972А.png
Вроде по усилению на 5В нормально, а вот 12В и 24В опять..., особенно у КП972А. Пытаясь понять такой эффект на больших токах при увеличении напряжения обнаружил у КП972А (у КП958А есть такой же, но его труднее обнаружить не спалив его, так как у сгоревшего он на 6А, у целого чуть выше). Эффект можно назвать тиристорный или триггерный...
При увеличении базового тока у данного КП972А, при 19,4мА (ток базы) ток коллектора достиг 6А и начал падать до 5А (напряжение 5В), далее с прогревом он немного опять повышается и вот при уменьшении тока базы на 42 мА ток стока начинает повышаться с 5,8А до 6,3А, при этом сам ток базы уменьшается до 35мА. Все это выглядит очень заметно в скачкообразном изменении тока базы с 20 до 40 мА (грубо) при его увеличении и с 40 до 20 мА при его уменьшении.smile_19
Такой же эффект заметен при 12В 2А и токе базы 1,895/3,99 мА, при 24В 1А ток базы 0,689/8,02 мА
Защиту на БП ставил на 6,3А, при "разносе" транзистора БП начинал снижать напряжение с 5-6В до 2-2,5В, возможно из-за этого транзистор не вылетел, потому что прошлый при 12В сгорел, и я сейчас не уверен что возбуд виноват, хотя он тоже наблюдался на малом токе и без конденсатора.
 
Вот бы теперь еще германиевые прогнать по методике.
ГТ806, 1Т910АД, ГТ404/402, П605А.
 
Да, экспериментировал в продолжении предыдущих транзисторов с ГТ905А (оранжевый) и 1Т910АД, в ходе эксперимента пали смертью храбрых _rip неустойчивый германий какой-то, если на 5В более-менее, то 12 и 24 кошмар. Чуть отвернулся, у тебя дым идет... Суть эксперимента "как безопасно измерить усиление германиевого транзистора". В ходе испытания еще одного 1Т910АД выяснилось, классическая схема как для кремния не подходит. Если на 5В ток коллектор-эмиттер у кремния нулевой (с оборванной базой или с большим сопротивлением базового токозадающего резистора) у данного экземпляра достигал пары миллиампер, то при 12В - 8,8 мА, при 24В 70-100 мА (измерено кратковременно, с ограничением тока) и об измерении в классическом варианте нельзя и думать. Был опробован низкоомный делитель базового тока, между ним и базой включен миллиамперметр, но для этого нужны условие: сопротивление база-эмиттер (сумма нижнего резистора делителя + сопротивление базового миллиамперметра) не должно превышать определенного критического значения. Экспериментально опробован метод: подаем на коллектор-эмиттер напряжение через миллиамперметр, закоротив цепь база-эмиттер магазином сопротивления. Примерно получилось что с большим сопротивлением (1-10 кОм) при 5В было порядка 10мА ток коллектор-эмиттер, причем при прежнем измерении было пара мА??? Магазином выбираем такое сопротивление при котором ток коллектора при небольшом увеличении его начинает резковато увеличиваться. Получилось при токе примерно 10 мА (у других транзисторов может быть другой ток) такие сопротивления: 5В - 100-200 Ом, 12В - примерно 40-50 Ом, при 24В - 20-25 Ом. При таких условиях более-менее можно производить измерения, иначе обратный ток отрицательный (от транзистора к базовому делителю) и измерять невозможно.
Вот что получилось, за измеренные данные прошу это не считать, это ход эксперимента
1Т910АД.png
На 5В и 12В не измерения, а какая-то чушь, причем обратите внимание на красный и зеленый графики на токе 0,5А, это следствие переключения диапазона цифрового миллиамперметра на пределах 20 мА и 200 мА (разное сопротивление внутреннего шунта). По сути более адекватное измерение получилось на 24В :unsure:
В общем в ходе эксперимента выяснил следующее
1) резистор база-эмиттер тоже необходим, он устраняет утечку тока база-коллектор, его надо выбирать (критическое значение) при напряжении питания ВСЕГО усилителя, для разных транзисторов он разный. Без него (как в схеме Худа, в верхнем плече) от температуры очень сильно меняется сквозной ток
2) у германиевых транзисторов нужны эмиттерные резисторы, они устаканивают лавинообразное изменение тока, чем больше тем лучше, здесь надо найти компромисс с КПД усилителя (думаю 0,5 - 1 Ом, но с соответствующей мощностью резистора)
3) есть наметки что усиление германиевых транзисторов надо измерять при заданном токе ЭМИТТЕРА, а не коллектора, что устранит изменение тока саморегулированием. На основе этого после выходных проделаю эксперимент, думаю на основе что-то из этого:
Тестовый стенд.GIF
IMG_20210215_133533.jpg
 
Здравствуйте, товарищи.Перебрал кучку КТ808а и 2Т808а, проверил обратное сопротивленин Б-Э, Б-К, у некоторых сопротивление более 100МОм, у некотрых 3-30МОм, но есть и сотни кОм и даже менее одного кОм. Какое значение сопротивление Б-Э, Б-К считается нормальным для этих транзисторов? Примение - УНЧ.
 
Последнее редактирование:
Какое значение сопротивление Б-Э, Б-К считается нормальным для этих транзисторов?
Не нормируется:( Есть вероятность, что у "худших" транзисторов будут больше обратные токи и меньше Uкэ(кб).
 
Здравствуйте, товарищи.Перебрал кучку КТ808а и 2Т808а, проверил обратное сопротивленин Б-Э, Б-К, у некоторых сопротивление более 100мОм, у некотрых 3-30мОм, но есть и сотни кОм и даже менее одного кОм. Какое значение сопротивление Б-Э, Б-К считается нормальным для этих транзисторов? Примение - УНЧ.
Надо еще измерить сопротивление К-Э, в обе стороны.
И - да, возможно, что они все пригодные.
Особенно, если применить к ним "германиевую" схемотехнику. О которой уже немного сказано, чуть выше по странице.
 
чёт 100 миллиом совсем мало.
 
Имелось ввиду мегаомы,не так написал,мой косяк.
Про КТ802 рассказывал приятель, работавший на сборке магнитофонов Ростов-102 . И себе отбирали те, у которых сопротивление К-Э было выше 2 килоом.
 
Имелось ввиду мегаомы,не так написал,мой косяк.
Это я даже не шутил, потом дошло конечно) :)
Чем выше сопротивление тем меньше обратный ток, я так понимаю. Вот менее 1кОм скорее всего что то с ним не так.
 
У старых типов кремниевых мощных транзисторов Б-Э может звониться и меньше килоома в обратном направлении.
 
Всё таки правильнее не сопротивление, а "обратные" токи измерять,
как и положено по ТУ.
Ничего сложного там нет, в конце концов не обязательно максимальную напругу прикладывать.
Измерял/отбирал таким образом свои КТ808 ( примерно 15 шт), один выкинул.
У нескольких ток был приличный, но! в пределах допуска.
А он для старорежимных транзисторов довольно большой.
 
У старых типов кремниевых мощных транзисторов Б-Э может звониться и меньше килоома в обратном направлении.
Кт808 уже довольно совершенный транзистор, и довольно таки высоковольтный.
 
Обратный ток коллектора 3 мА это всё таки многовато.
Можно сравнить с КТ864, этот можно назвать если не совершенным, то хотя бы нормальным.
Кстати, эти "особенности" у 808 видны при измерении "Бэтты"
Начиная с малых токов.
Где то есть таблица, нарою если, выложу для интереса.
 
В прошедшую субботу получил вот такие транзисторы 1Т806АОСМ.
20768914511.jpg

Проверил прибором от Сергея KSV . При токе 1200мА ток базы у восьми 5...7мА. И только два покачали 15 и 18.
 
В прошедшую субботу получил вот такие транзисторы 1Т806АОСМ.
20768914511.jpg

Проверил прибором от Сергея KSV . При токе 1200мА ток базы у восьми 5...7мА. И только два покачали 15 и 18.
это да, бета 240.
 
Если ровная (по току)- хорошо в схему с фазоделительным трансформатором.
 
получил транзисторы 1Т806АОСМ.
Проверил прибором . При токе 1200мА ток базы у восьми 5...7мА. И только два покачали 15 и 18.
Александр! Уж сколько раз твердили миру...
НЕЛЬЗЯ подобным способом измерять Бэтту у ГЕРМАНИЕВЫХ транзисторов. Причина проста - не учитываются обратные токи, поэтому результат получается завышен и тем больше завышен, чем хуже транзисторы (больше обратные токи).
У кремниевых они КАК ПРАВИЛО ничтожны (ранние партии КТ802 и им подобных только подтверждают правило), а у германиевых очень сильно влияют на результат.
Поэтому в массовое усиление =240 при том что по паспорту 10...100 (правда при токе 5 А, но и Вы измеряли не при 1 мА) я НЕ ВЕРЮ (верю в Вашу добросовестность и честность, но методика измерения ошибочна).
Для Гэ транзисторов, да ещё мощных, нужны другие методы. Они не так уж сложны, но я выбросил все свои Гэ транзисторы, в первую очередь мощные, поэтому собирать и настраивать такой измеритель не буду.
Один из простых способов - измерение ПЕРЕМЕННОГО тока. Сначала настраиваете режим по постоянному току (здесь лучше всего "мой" прибор), затем подаёте маааленький синус на вход, смотрите осциллографом на выходе и дЕлите одно на другое. Но это грубая схема, на деле есть кое-какие сложности. Ранее я приводил схемы промышленных приборов. Их не надо повторять, из них надо взять схемные решения. Тогда обратные токи и рост токов вообще не повлияют на результат.
Возможно, проще взять режим с общей базой, но не хочу влезать в этот вопрос и тратить на это время.
Я просто очередной раз пишу - что измерять так как ВСЕ измеряют - неверно.
НО! Александр. Точность не обещаю, но попробуйте сделать на "моём" приборе такой САМЫЙ ПРОСТОЙ финт.
Настройте прибор на ток эмиттера пусть для примера 1 А. Затем настройте ДРУГОЙ предел измерений пусть на 1,2 А.
Дайте остыть транзистору.
Включите на 1 А и быстро считайте ток базы, запомните и быстро переключите на 1,2 А и снова считайте и запомните ток базы. На всё - несколько секунд, лучше 2...3.
Ну а дальше понятно - делите разность токов эмиттера =0,2 А на разность токов базы и полУчите усиление по току. Способ не слишком совершенный, но раз у Вас есть приборчик, сделать такую штуку очень просто и не нужно ничего снова делать, не нужны расходы времени и материалов.
Более того, я ПРОШУ Вас это сделать и опубликовать результаты сравнения с обычным измерением.
Просто настройте тублер режимов на 1-1,2 А и всё.
 
Александр! Уж сколько раз твердили миру...
НЕЛЬЗЯ подобным способом измерять Бэтту у ГЕРМАНИЕВЫХ транзисторов. Причина проста - не учитываются обратные токи, поэтому результат получается завышен и тем больше завышен, чем хуже транзисторы (больше обратные токи).
У кремниевых они КАК ПРАВИЛО ничтожны (ранние партии КТ802 и им подобных только подтверждают правило), а у германиевых очень сильно влияют на результат.
Поэтому в массовое усиление =240 при том что по паспорту 10...100 (правда при токе 5 А, но и Вы измеряли не при 1 мА) я НЕ ВЕРЮ (верю в Вашу добросовестность и честность, но методика измерения ошибочна).
Для Гэ транзисторов, да ещё мощных, нужны другие методы. Они не так уж сложны, но я выбросил все свои Гэ транзисторы, в первую очередь мощные, поэтому собирать и настраивать такой измеритель не буду.
Один из простых способов - измерение ПЕРЕМЕННОГО тока. Сначала настраиваете режим по постоянному току (здесь лучше всего "мой" прибор), затем подаёте маааленький синус на вход, смотрите осциллографом на выходе и дЕлите одно на другое. Но это грубая схема, на деле есть кое-какие сложности. Ранее я приводил схемы промышленных приборов. Их не надо повторять, из них надо взять схемные решения. Тогда обратные токи и рост токов вообще не повлияют на результат.
Возможно, проще взять режим с общей базой, но не хочу влезать в этот вопрос и тратить на это время.
Я просто очередной раз пишу - что измерять так как ВСЕ измеряют - неверно.
НО! Александр. Точность не обещаю, но попробуйте сделать на "моём" приборе такой САМЫЙ ПРОСТОЙ финт.
Настройте прибор на ток эмиттера пусть для примера 1 А. Затем настройте ДРУГОЙ предел измерений пусть на 1,2 А.
Дайте остыть транзистору.
Включите на 1 А и быстро считайте ток базы, запомните и быстро переключите на 1,2 А и снова считайте и запомните ток базы. На всё - несколько секунд, лучше 2...3.
Ну а дальше понятно - делите разность токов эмиттера =0,2 А на разность токов базы и полУчите усиление по току. Способ не слишком совершенный, но раз у Вас есть приборчик, сделать такую штуку очень просто и не нужно ничего снова делать, не нужны расходы времени и материалов.
Более того, я ПРОШУ Вас это сделать и опубликовать результаты сравнения с обычным измерением.
Просто настройте тублер режимов на 1-1,2 А и всё.
Сергей очень рад снова услышать Вас, ваше мнение всегда важно для меня. Поэтому постараюсь разложить всё по полочкам. Если вы обратили внимание я специально не стал приводить бетту, только указал ток эмиттера и базы

В прошедшую субботу получил вот такие транзисторы 1Т806АОСМ.
20768914511.jpg

Проверил прибором от Сергея KSV . При токе 1200мА ток базы у восьми 5...7мА. И только два покачали 15 и 18.
потому что я с помощью вашего прибора просто подобрал близкие пары. Учитывая свой не большой запас таких оказалось 5 пар.
НО! Александр. Точность не обещаю, но попробуйте сделать на "моём" приборе такой САМЫЙ ПРОСТОЙ финт.
Настройте прибор на ток эмиттера пусть для примера 1 А. Затем настройте ДРУГОЙ предел измерений пусть на 1,2 А.
Дайте остыть транзистору.
Включите на 1 А и быстро считайте ток базы, запомните и быстро переключите на 1,2 А и снова считайте и запомните ток базы. На всё - несколько секунд, лучше 2...3.
Ну а дальше понятно - делите разность токов эмиттера =0,2 А на разность токов базы и полУчите усиление по току. Способ не слишком совершенный, но раз у Вас есть приборчик, сделать такую штуку очень просто и не нужно ничего снова делать, не нужны расходы времени и материалов.
Более того, я ПРОШУ Вас это сделать и опубликовать результаты сравнения с обычным измерением.
Это вопрос мы с вами обсуждали в вашей теме https://ldsound.club/threads/prosto...-srednej-i-bolshoj-moschnosti.727/post-155515
Но как вы выразились
Точность не обещаю
На само деле разница получилась не большая примерно 10...15 например если было 150 от при использовании дельты получалось 140 ну как то так. Были следующие точки:
Iэ(mA) 215 234 253 1846 2000 2181
Iб(mA) 1.5 1.61 1.69 9.65 10.5 11.5

Приведу пример на последних двух измерениях:
1) 2000/10.5=190
2) 2181/11.5=189
3) ΔIэ= 2181-2000=181
ΔIб=11.5-10.5=1 => Δh21=181/ 1=181

Поэтому и не стал публиковать результаты. Если найду время попробую измерением переменного тока. Хотя думаю это мало кого интересует, а мне достаточно просто подобрать пары по току.
 
Мои германцы 1Т813В из 81 года измерены шефом на Л2-41 по методике из паспорта, там усиление 160 . Поэтому цифрам 240 от ОСМ хочется верить.
 
Мои германцы 1Т813В из 81 года измерены шефом на Л2-41 по методике из паспорта, там усиление 160 . Поэтому цифрам 240 от ОСМ хочется верить.
Верующий человек имеет преимущество перед теми кто ищет доказательств - верующие люди отвергают любые доказательства.
л260.png

К сожалению, описание Л2-41 на скорую руку я не нашёл, но нашёл описания аналогов Л2-42 и Л2-60, в них прямо указано что они заменяют Л2-41.
Заранее был уверен, но теперь убедился. Источники питания в них весьма хилые, ни о каких 5 А как в паспорте транзисторов, и речи нет.
Источники питания - десятки мА, значит измерения при этих токах. Разница усиления при разности токов в СТО и более раз. может быть очень велика, поэтому если в заводском паспорте на транзистор написано усиление 10...100 то в усиление 10 я поверю, в усиление 200 - НЕТ.
Конечно, приятнее льстить себя мечтами о высоком усилении Гэ транзисторов, чем пытаться найти действительное значение. Отношение тока эмиттера(коллектора) к току базы здесь НЕ РАБОТАЕТ.
Работает дельта, приращение.
Можно этим заняться и провести очередную лабораторную работу сравнивая результаты полученные разными способами. Кто хочет - может этим заняться. (Но вместо этого вижу снова и снова, снова и снова как ТУПО ищут усиление при фиксированном токе базы вместо тока эмиттера и получают несопоставимые результаты для кремниевых транзисторов, а про гэ - даже и писать не хочу).
Но это тупик. Недостатки Гэ транзисторов известны, недаром от них отказались. Поэтому копаться, как предрекал потомкам Маяковский "в окаменевшем Гэ-вне", не вижу смысла. Провидец! _hm_
м.png

После этого он застрелился. _rip
 
Недостатки германиевых транзисторов в усилителях можно обойти, использовав их преимущества.
Перестали производить из-за повышенных требований для спецтехники и специзделий.
Но совок производил их десятки лет после того, как весь мир перешел полностью на кремний.
Почему производил?
 
Верующий человек имеет преимущество перед теми кто ищет доказательств - верующие люди отвергают любые доказательства.
Посмотреть вложение 72091
К сожалению, описание Л2-41 на скорую руку я не нашёл, но нашёл описания аналогов Л2-42 и Л2-60, в них прямо указано что они заменяют Л2-41.
Заранее был уверен, но теперь убедился. Источники питания в них весьма хилые, ни о каких 5 А как в паспорте транзисторов, и речи нет.
Источники питания - десятки мА, значит измерения при этих токах. Разница усиления при разности токов в СТО и более раз. может быть очень велика, поэтому если в заводском паспорте на транзистор написано усиление 10...100 то в усиление 10 я поверю, в усиление 200 - НЕТ.
Конечно, приятнее льстить себя мечтами о высоком усилении Гэ транзисторов, чем пытаться найти действительное значение. Отношение тока эмиттера(коллектора) к току базы здесь НЕ РАБОТАЕТ.
Работает дельта, приращение.
Можно этим заняться и провести очередную лабораторную работу сравнивая результаты полученные разными способами. Кто хочет - может этим заняться. (Но вместо этого вижу снова и снова, снова и снова как ТУПО ищут усиление при фиксированном токе базы вместо тока эмиттера и получают несопоставимые результаты для кремниевых транзисторов, а про гэ - даже и писать не хочу).
Но это тупик. Недостатки Гэ транзисторов известны, недаром от них отказались. Поэтому копаться, как предрекал потомкам Маяковский "в окаменевшем Гэ-вне", не вижу смысла. Провидец! _hm_
Посмотреть вложение 72092
После этого он застрелился. _rip
В Л2-41 импульсное измерение с синхронным детектированием, на 5 амперах транзистор холодный. По воспоминаниям 1981-83 годов
 
Перебирая свои когда то сохранные статьи наткнулся на одну интересную
«ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ» А. СОБОЛЕВСКИЙ Журнал Радио 12 номер 1971 год.
В статье описано как в транзисторе перераспределяются токи и предложены несколько схем для измерения параметров. Нечего особенного. Подобный материал изложен практически во всех учебниках и справочниках. Но меня заинтерисовала одна фраза автора она косалась сложности измерения «Бетты» германиевах транзисторов.
Итак, чтобы измерить коэффициент усиления транзистора, надо, во-первых, поставить транзистор в определенный режим работы по постоянному току, то есть установить необходимые UK3 и Iэ, а, во-вторых, вести измерение на переменном токе, измеряя малые приращения токов его электродов. Все это усложняет измерения и требует чувствительных и точных приборов, ибо измерять малые приращения токов не так-то просто.
Я решил попробовать. Напомню я уже пробовал измерять таким способом коэффициент усиления германиевого транзистора, но это были приращения 10...15% и они результата не дали разница была в 10...15 единиц по этому я их не публиковал. Как измерять малые приращения? Да очень просто прибор от KSV в цепи базы имеет TL431 которая с этим прекрасно справилась.

Исходные данные:
  1. Прибор «для измерения усиления транзисторов средней и большой мощности» от Сергея KSV.
  2. Два мультиметра типа DT9808 (Один измеряет ток базы, второй падение напряжения на резисторе 2Ома в эмиттере. )
  3. Транзистор 1т806А на радиаторе.

Всё подключил, измерения решил начать с 1000mA (2в падение на Rэ=2Ом). Включил оставил на прогрев на 10мин. Через 10мин. Токи изменились, но не сильно, подрегулировав TLку вернул всё в исходное состояние Iэ=1000мА Iб=7,75мА частное двух чисел составило 129 то есть статический h21эВст=Iк/Iб. В этом режиме транзистор вел себя не стабильно то есть сотые и десятые части измерений постоянно менялись и зафиксировать малые приращения было не возможно. Честно говоря решил плюнуть на это дело, но напоследок решил посмотреть как 1Т806 поведет себя если увеличить Iэ. И в районе 1300мА сотки и десятки показаний DT9808 жестко зафиксировались теперь можно пробовать измерить малые приращения. Результаты измерений ниже:


Iб(мА 1010,0610,1210,1810,24
Urэ(В)2,592,602,612,622,63
Iэ(мА)12951300130513101315

Если взглянуть на результат то видно ,что Δ Iб во всех измерениях составила 0.06 мА, а падение напряжения на Rэ одна сотая была выбрана намерено как минимально возможное при используемых приборах (DT9808) ΔIэ во всех измерениях составила 5 мА
В результате имеем h21э=ΔIк/Δ Iб 5/0.06=83 что больше похоже на правду против 129.
На само деле лично мне это не к чему просто было интересно сработает или нет. Результат решил представить в подтверждение теории.
 
В Л2-41 импульсное измерение с синхронным детектированием, на 5 амперах
Хорошо если так, но нигде я не нашёл упоминания о 5 А, а имеющиеся у меня файлы с паспортами на всю аппаратуру, давно стёр.

В результате имеем h21э=ΔIк/Δ Iб 5/0.06=83 что больше похоже на правду против 129.
Точность, конечно, при малых изменениях получить трудно, но цифре 83 мне намного легче поверить чем 250.
Если бы значительный процент транзисторов имел усиление выше 200, это не преминули бы отметить в паспорте.
Особо интересно сравнить усиление при малых токах, на уровне тока покоя усилителя - ну пусть 20 мА с током на средней мощности, ну пусть 2 А.
Понятно, что горизонтальной линии нет даже у серий AD150, AD160, но всё-таки интересно сравнить лучший буржуинский германий с лучшим советским.
Правда, они делали мощные комплементарные пары, а у нас, увы, до этого не доросли.
Жаль, конечно, что прекратили выпуск германиевых транзисторов (знаю что кое-кто кое где кое-как делает, но речь не об этом, а о прогрессе, повышении качества).
На само деле лично мне это не к чему просто было интересно сработает или нет. Результат решил представить в подтверждение теории.
smile_6
 
Работа с третьим-четвертым знаком очень сомнительна, точность плюс-минус трамвайная остановка.
Так что вполне может быть значение беты 130+50и обе методики по своему правы.
Нам-то нужны показатели по точкам на нагрузочной линии. Чем больше напряжение К-Э, тем меньше ток эмиттера. И наоборот.
 
Работа с третьим-четвертым знаком очень сомнительна, точность плюс-минус трамвайная остановка.
Так что вполне может быть значение беты 130+50и обе методики по своему правы.
Нам-то нужны показатели по точкам на нагрузочной линии. Чем больше напряжение К-Э, тем меньше ток эмиттера. И наоборот.
Автор статьи в общем и не претендует на 100% точности. В статье описаны проблема измерения коэффициента усиления и метод который может хоть как-то приблизить результат к истинным значениям. Кстати обратите внимание я сделал изменения в пяти точках следовательно получилось четыре значения дельты и все они одинаковые. Повторяемость о чем то говорит.
 
Автор статьи в общем и не претендует на 100% точности. В статье описаны проблема измерения коэффициента усиления и метод который может хоть как-то приблизить результат к истинным значениям. Кстати обратите внимание я сделал изменения в пяти точках следовательно получилось четыре значения дельты и все они одинаковые. Повторяемость о чем то говорит.
Есть мыслишка глянуть цифры усиления по току в реальном включении выходного транзистора, в эмиттере 4 или 8 Ом, питание- половина питания усилителя, скажем, от 15 до 30 вольт. И догнав ток до насыщения, глянуть ток базы.
 
Последнее редактирование:
Реально ведь с увеличением тока в схеме будет падать напряжение на транзисторе.
Измеряемые точки можно, как в случае ламп, провести под линией максимально допустимой мощности коллектора.
Автор статьи в общем и не претендует на 100% точности. В статье описаны проблема измерения коэффициента усиления и метод который может хоть как-то приблизить результат к истинным значениям. Кстати обратите внимание я сделал изменения в пяти точках следовательно получилось четыре значения дельты и все они одинаковые. Повторяемость о чем то говорит.
Повторяемость может говорить и о систематической ошибке.
 

Статистика форума

Темы
3,301
Сообщения
262,704
Пользователи
2,544
Новый пользователь
vlad'mir
Назад
Сверху Снизу