JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="СМЕРШ, post: 310213, member: 2300"] Нет. Например, нам надо усилить сигнал 1 В до 10 В. Условие: чтобы это называлось безООСником. Тогда берём ОЭ, ставим в эмиттер 1 кОм, в коллектор - 10 кОм, питалово - 25 В, ток - чуть выше 1 мА. То так как есть ООС - токовая, на резисторе в эмиттере, и усиление ОЭ никуда не делось: Ку = 10 кОм / 25 Ом = 400 раз, где 25 Ом - собственное сопротивление эмиттера транзистора при токе 1 мА: rэ = 25 мВ / Iэ, то разностный сигнал, соответственно, равен Uразн = 10 В / 400 раз = 25 мВ. Можно проверить, что видит симулятор: [ATTACH type="full" width="101px" alt="1721152713869.png"]104441[/ATTACH] Схемка [ATTACH type="full" width="136px" alt="1721152831865.png"]104442[/ATTACH] Разностное напряжение Убэ. Симулятор уточняет: мы не учли нелинейность эмиттерного перехода транзистора. Да и не могли, вручную-то. Если верхние полуволны ещё как-то смахивают на полусинус, и из них и их зеркальных отражений можно слепить сигнал размахом в 50 мВ, что как-то оправдывает результаты ручного расчёта, то нижние полуволны вытянуты, искажены, и ни о каком чистом звуке на выходе каскада речи не идёт: [ATTACH type="full" width="68px" alt="1721153125275.png"]104443[/ATTACH] 0,9% искажений. [/QUOTE]