JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="KSV, post: 146866, member: 532"] Не то чтобы плохое. Нет. Но использовать их сложнее и их возможности ограничены. Многие верят в то, что прямым перетыком Si на Ge транзисторы можно сразу добиться волшебного эффекта. Под Ge нужна своя схемотехника учитывающая их малое усиление (есть у меня с советских времён КТ3102Е и измерения подтвердили их усиление 400...1000 есть что-то близкое в Ge мире? Нет!), малая мощность и токи (с 2SC1941 и сравнивать не будем), тепловой дрейф, необходимость использовать улучшенные "кулеры" и т. п. Главное достоинство - низкий порог открывания, намного меньше пресловутая "ступенька". Поэтому, на мой взгляд, просто заменить в готовой отлаженной схеме JLHood1969 Si на Ge - не совсем корректно, тогда уж и первые два транзистора надо менять на Ge а тут проблема с усилением и вообще Ge транзисторами N-P-N. Были современные попытки создания с нуля Ge усилителей, но что-то они признания не получили. Пишу это молодёжи для которых Ge транзисторы - неведомая чудесная экзотика типа островов в океане для отдыха. Только океан может оказаться Северным Ледовитым. Обязательно почитаю для ностальгии, но делать не буду. [/QUOTE]