Наверное, надо расставить точки над Ы, относительно стабилизации тока покоя/температуры.
Термалтраки не рассматриваю, их практически никто не использует.
Стабилизация может быть параметрической или с помощью ООС.
Стабилизация тока покоя с помощью ООС не используется, поскольку такое усложнение никому не упёрлось.
Параметрическая стабилизация температуры, это отбор тепла по достижении заданной температуры - отключаемый вентилятор, тепловые трубки, водянка с термостатом. Короче, бред.
Возможна стабилизация температуры с помощью ООС. Но тут есть одно большое НО: регулировать температуру надо чем-то.
Ситуация первая: сигнала нет, ток покоя подразумевается большой, чтобы рассеивалось 20 - 30 и более ватт. Тогда можно регулировать температуру, увеличивая ток покоя до любого значения и уменьшая, хоть до нуля. Но это самое интересное направление - уменьшать - категорически недопустимо, поскольку увеличатся искажения.
Ситуация вторая: сигнал есть, тогда рассеиваемая транзисторами мощность практически не зависит от тока покоя и мер воздействия на температуру нет совсем.
Получается, что температуру стабилизировать или невозможно, или совершенно не рационально.
Остаётся единственный вариант, который применяется повсеместно: параметрическая стабилизация тока покоя при изменении температуры транзисторов в широких пределах.
Качество стабилизации выходит очень разное, в зависимости от степени соображения проектировщика.
Симулятор хорошо помогает, но макетирование необходимо, в связи с крайне низким качеством моделей полупроводников в части температурных эффектов.
Считаю, что нужно добиваться в симуляторе некоторого снижения тока покоя с ростом температуры и предусмотреть регулировку этой зависимости в железе.
Например, так:
