JavaScript отключён. Чтобы полноценно использовать наш сайт, включите JavaScript в своём браузере.

Ответить в теме

Сообщение: [QUOTE="STTL, post: 316129, member: 1806"] Если брать физику процессов, относительно термостабилизации тока покоя транзистора, то я понимаю так: В идеальных условиях, когда на транзистор не оказывается ни какого возмущающего термодинамического влияния извне , и всё - чем он несколько термостабилизирован, это лишь отдельный радиатор, на которой он закреплён напрямую, без изоляторов тепла: То - единственным фактором сдерживающим неконтролируемый рост тока покоя, является - температура кристалла, у которой есть порог, индивидуальный для каждого типа транзистора, выше которой, начинается неконтролируемый постепенный рост тока покоя приводящий к разрушению кристалла, если эту температуру не регулировать так или иначе Если же температура кристалла не доходит до этого критического порога, то - ток покоя может немного плавать, но не выходить за допустимые рамки установленного, даже без принудительной регулировки извне. Что и показывает моя практика эксперимента с одиночными радиаторами Например, для КТ818-19, таким током покоя при текущих данных размерах радиатора, является 250 мА, который и определяет максимальную температуру радиатора и кристалла, при которой ток покоя немного плавает, но ещё не уходит в безконтрольную зону. [/QUOTE]