Это справедливо только для материала с собственной проводимостью. В транзисторах проводимость примесная и подвижность носителей зависит от концентрации примеси. Чем больше концентрация тем ниже подвижность. Ge транзисторы - приборы с высокой степенью концентрации, Si транзисторы с низкой. Причина в технологии. Практически все Ge транзисторы выполнены по сплавной технологии и ее мутациям, что приводит к высокой степени концентрации примеси и как следствие к низкой подвижности носителей и низкому быстродействию. Si транзисторы планарные, концентрация носителей низкая, как следствие подвижность носителей остается близкой к подвижности у материала с собственной проводимостью. И как следствие подвижность носителей в Si планарных транзисторах гораздо больше оной в Ge сплавных. Со всеми вытекающими.
Элементная база определяет схемотехнику. В природе существуют германиевые НЧ сплавные с Uce 30 - 40 В NPN и PNP, ВЧ конверсионные с Uce 30 -45 В PNP, мощные НЧ сплавные PNP и один тип NPN (ГТ705) и ВЧ PNP диффузионно сплавные с Uce более 30 В.
ВЧ NPN диффузионно сплавные c Uce более 15-20 В на германии видимо технологически невозможны. Я по крайне мере таких не знаю. Ни производства СССР ни зарубежного.
Существует несколько типов планарных NPN транзисторов на германии, один тип точно знаю ГТ311. Но там какой то затык с напряжением Uce. Высоковольтные и высокочастотные не получаются. На кремнии проще и дешевле. И ОБР у кремниевых шире. Для мощного транзистора один из важнейших параметров. Если ОБР узкая, то все остальные параметры уже не важны.
Лампы и транзисторы не понимают что они усиливают музыкальный сигнал. Лампы и транзисторы реагируют на изменение потенциала сетка катод и база эмиттер изменением анодного и коллекторного тока соответственно. Лампе и транзистору абсолютно безразлично на чем сделана сборка, на советском стеклотекстолите или фашистском шасси. Для того чтобы лампы и транзисторы адекватно реагировали на управляющий сигнал должны применяться схемотехнические решения учитывающие особенности ламп и транзисторов, а не установка на фашистском шасси.
В транзисторных усилителях земля разделена на сигнальную и силовую, и объединяются эти земли у входного разъема. При невыполнении этих условий получим неустранимый фон и как бонус высокий уровень искажений. Кстати двухполярное питание позволяет просто и элегантно разделить земли. Еще одна особенность транзисторных усилителей - очень большие и резко нелинейные токи в цепях питания. Это также приводит при некорректной топологии платы к высоким искажениям. Причина - формирование силовых контуров большой площади, магнитное поле которых наводит помеху на слаботочные цепи, в том числе через малосигнальную землю. Это тоже приводит к значительным искажениям. Также можно упомянуть бестолковую коррекцию, что встречается в большинстве промышленных и любительских усилителей. В общем все имеет материальную причины и как следствие вполне материальные способы устранения. А вовсе не эзотерику и прочую чертовщину проповедываемую некоторыми индивидуумами.