Короткий тракт с общей ООС, на базе мощного ВКТ (тройка Локанти)

[vitamir]

Методика, як це виміряти і схема стенду наведена в першому посиланні підбірки від французьких схемотехніків.
пєтрову таке не снилось

 

[NEULO]

Попробую, но надо поискать

может оно того и не стоит. описания хватило. штука в том что широкополосный меандр- сигнал внеполосной. то есть, ой, искажает на мегагерце при номинальном уровне, бяда бяда. это бессмыслица.

 

[vitamir]

по мне, усь надо строить (настраивать) без ОС, корректор ("канализационная труба") потом цеплять.

Вчорашня хохма то вже не хохма. Таке сорок років тому запропонував один відомий підсилювачедлязвукубудівник.
Але, від тодішньої безвиході.
Сьогодні ж "Сигма" есть (С)

 

[IgorE]

может оно того и не стоит.

Может и нет, вполне допускаю. Давно смотрел.
Мне просто нравятся конструкции, с которыми можно быстро найти причину глюков. Это типа была одна из них.
Лабораторная работа по измерению параметров конструкции это одно, а настройка и нахождение оптимального варианта это другое. Хотя это тесно взаимосвязано и одно без другого дилетантство.

только великий пертов их может померить

Да плюнь ты на это. Сам уже в стараперы попал. В паспорт посмотри. Ворчать без причины начал.

 

[Resistorius]

Не совсем понятно что конкретно подразумевается под определением тепловые искажение .

Но если подумать чисто логически :

Кристал при мнговенном скачке тока/напряжения, меняет температуру мгновенно.
Попытки завиксировать ети изьменения- бесмыслены.
Тепло пройдёт через подошву (транзистора например) с большой задержкой .
Более ефективны отвод тепла никак не может повлиять на переходные процессы внутри проводника,даже если взять за пример жидкое охлаждение .
Житки хелюм и азот не берём за пример 😁
Более ефективны отвод тепла помогает добиться некоего потолка стабильной температуры полупроводника , -не больше не менче.

Температура самого кристала должна регулироваться електрически .
Когда одни транзисторы балансируют работу других транзисторов . Распределяют токи/напряжение более менее одинаково между собой .

Пример был приведён пару постами выше ( про мастера и его всеядность ) с кучей ноликов .

Транзисторы никогда не бывают холодными .
Если уменьшить разницу температурныйх изьменений переходного процесса . То и искажения должны уменшитьса . Вопрос только на сколько ? Зависит будет от конкретных параметров полупроводника .

Как ето просимулировать ?
Вспомнил байку про одного человечька которы подбирал транзисторы в пары , прожаривая их в духовке , пока ещё горячие так сказать 😀.

То есть при определенной температуре полупроводник меняет своий параметры .
Для симуляцыий можно создать модельку транзистора/ов емулируюшюю именно такое изьменение параметров.
Некий worst case scenario так сказать.
Использовать модели транзисторов с разной бетой и тд .
Вопрос только,- нужно ли ето кому то ?

Симуляцыя самого переходного процесса мало что даст даже теоретически, так как в любой схеме куча транзисторов и все они разные

Попрошу сильно не кидаться тапками 😁 ето всего лиш моё мнение .

 

[Александр Бокарёв]

Не совсем понятно что конкретно подразумевается под определением тепловые искажение .

Но если подумать чисто логически :

Кристал при мнговенном скачке тока/напряжения, меняет температуру мгновенно.
Попытки завиксировать ети изьменения- бесмыслены.
Тепло пройдёт через подошву (транзистора например) с большой задержкой .
Более ефективны отвод тепла никак не может повлиять на переходные процессы внутри проводника,даже если взять за пример жидкое охлаждение .
Житки хелюм и азот не берём за пример 😁
Более ефективны отвод тепла помогает добиться некоего потолка стабильной температуры полупроводника , -не больше не менче.

Температура самого кристала должна регулироваться електрически .
Когда одни транзисторы балансируют работу других транзисторов . Распределяют токи/напряжение более менее одинаково между собой .

Пример был приведён пару постами выше ( про мастера и его всеядность ) с кучей ноликов .

Транзисторы никогда не бывают холодными .
Если уменьшить разницу температурныйх изьменений переходного процесса . То и искажения должны уменшитьса . Вопрос только на сколько ? Зависит будет от конкретных параметров полупроводника .

Как ето просимулировать ?
Вспомнил байку про одного человечька которы подбирал транзисторы в пары , прожаривая их в духовке , пока ещё горячие так сказать 😀.

То есть при определенной температуре полупроводник меняет своий параметры .
Для симуляцыий можно создать модельку транзистора/ов емулируюшюю именно такое изьменение параметров.
Некий worst case scenario так сказать.
Использовать модели транзисторов с разной бетой и тд .
Вопрос только,- нужно ли ето кому то ?

Симуляцыя самого переходного процесса мало что даст даже теоретически, так как в любой схеме куча транзисторов и все они разные

Попрошу сильно не кидаться тапками 😁 ето всего лиш моё мнение .

Искренне с вами согласен, так и мыслю себе процесс ухода от влияния тока на разогрев кристалла. Принцип взять у кварцевого генератора с собственным термостатом +50 градусов, чтобы всегда быть выше средней окружающей температуры.
Вполне можно нагревать кристалл до этой температуры, а снижение предельной рассеиваемой мощности кристалла нивелировать увеличением числа транзисторов.

 

[vitamir]

Не совсем понятно что конкретно подразумевается под определением тепловые искажение .

Но если подумать чисто логически :

Кристал при мнговенном скачке тока/напряжения, меняет температуру мгновенно.
Попытки завиксировать ети изьменения- бесмыслены.
Тепло пройдёт через подошву (транзистора например) с большой задержкой .
Более ефективны отвод тепла никак не может повлиять на переходные процессы внутри проводника,даже если взять за пример жидкое охлаждение .
Житки хелюм и азот не берём за пример 😁
Более ефективны отвод тепла помогает добиться некоего потолка стабильной температуры полупроводника , -не больше не менче.

Температура самого кристала должна регулироваться електрически .
Когда одни транзисторы балансируют работу других транзисторов . Распределяют токи/напряжение более менее одинаково между собой .

Пример был приведён пару постами выше ( про мастера и его всеядность ) с кучей ноликов .

Транзисторы никогда не бывают холодными .
Если уменьшить разницу температурныйх изьменений переходного процесса . То и искажения должны уменшитьса . Вопрос только на сколько ? Зависит будет от конкретных параметров полупроводника .

Как ето просимулировать ?
Вспомнил байку про одного человечька которы подбирал транзисторы в пары , прожаривая их в духовке , пока ещё горячие так сказать 😀.

То есть при определенной температуре полупроводник меняет своий параметры .
Для симуляцыий можно создать модельку транзистора/ов емулируюшюю именно такое изьменение параметров.
Некий worst case scenario так сказать.
Использовать модели транзисторов с разной бетой и тд .
Вопрос только,- нужно ли ето кому то ?

Симуляцыя самого переходного процесса мало что даст даже теоретически, так как в любой схеме куча транзисторов и все они разные

Попрошу сильно не кидаться тапками 😁 ето всего лиш моё мнение .

Сходіть почитайте за посиланням на добірку матеріалів від французьких схемотехніків, що я наводив вище. Там Ви знайдете детальні відповіді на всі Ваші питання.

 

[Resistorius]

В принципе ожидаемо .