Простой прибор для измерения усиления транзисторов средней и большой мощности

[Александр Бокарёв]

Считаю, что схема из #1 очень удачна, но она не может решить всех проблем. Да, интересно измерить напряжение насыщения мощного транзистора, в основном для определения его подлинности.
Я поломал голову как это сделать удобно, универсально и не прикладая рук. Вот что получилось.
Посмотреть вложение 14870
Уверен, что здесь нет человека, который не знает про модули на микросхеме XL4015. Если таковой найдётся, то это DC-DC преобразователь (трансформатор постоянного тока) с регулируемым выходным напряжением и регулируемым ограничением по току.
Два источника постоянного тока ~220 / = 12...15 V.
На схеме забыл показать кнопку включения нижнего преобразователя.
Ещё одна винтовая колодка на 3 контакта, цифровой тестер и испытуемый транзистор. Это всё!
По окончании работ всё можно разобрать за 5 минут и использовать в других целях.
Настройка модуля питания коллектора. Установить напряжение примерно 5 В, замкнув амперметром выход преобразователя установить ток 4 А.
Настройка модуля питания базы. Напряжение примерно 3 В, ток 0,4 А.
Порядок измерения.
Установить транзистор, нажать кнопку для включения питания базы. Считать показания милливольтметра.
Несмотря на ток 4 А, радиатор не нужен, ток почти не плывёт, транзистор почти не греется.
Схема собрана на проводках и проверена, если нужно фото этого безобразия, в следующий раз - уже ночь.
Всё отлично работает, но не всё так просто с оценкой результатов. Об этом в следующий раз.
Могу сказать, что проблемы подлинности это не решает, для оценки нужна база результатов хотя бы гарантированно подлинных транзисторов.
Но я понял что нужно для определения подлинности транзисторов с высокой степенью вероятности.
Метод жестокого испытания, но без молотка, как в том неприличном анекдоте.

А как думаете, есть где-нибудь проверенная методика измерения этого параметра? ГОСТ какой-нибудь. Может , там позаимствовать полезные идеи?

 

[KSV]

А как думаете, есть где-нибудь проверенная методика измерения этого параметра? ГОСТ какой-нибудь. Может , там позаимствовать полезные идеи?

Это явно не ко мне - не знаю. Но я столкнулся с тем, что данное напряжение редко в каком справочном листке явно указано, от цифры "не более" тоже толку мало.
Есть метод измерения ёмкости переходов, но результат опять-таки зависит от измерительного прибора.
Нужна база данных сделанная при одинаковых условиях (токе базы, например).
Проверял 2SC3281 Тошиба. У подделки насыщение К-Э = 338 мВ, у подлинного 125 мВ. Разница большая.
Но, к примеру, у подделок других марок напряжение насыщения может быть не большим, а в справочном листке указано (для других) - не более 1,3 В.
Графики обычно нарисованы в таком масштабе, что ловить милливольты трудно.
Будет время - сяду, измерю, запишу кое-какие результаты. Думаю, это мало кого заинтересует.
Но сделать можно, хотя бы из интереса, в том числе для советских транзисторов (уж их точно никто не подделывал).
Интереснее на мой взгляд метод "теплового удара", транзистор или сгорит в доли секунды (уж лучше он сгорит на стенде, чем в реальной схеме).
И ещё - многие подделки преспокойно и хорошо работают, например, в JLHood 1969.
Поэтому в усилителях средней мощности подделки могут хорошо себя показать.
В усилителях мощности от 50 Вт и выше - другой разговор, но область моих интересов - исключительно для домашнего пользования и достаточно обычно нескольких ватт.
Касательно тепловых искажений - это уже более высокие материи, но думаю, что в усилителях класса А эти искажения заметны не будут т. к. в них кристалл холодным не бывает. А о тепловом контакте кристалла с "подошвой" транзистора можно косвенно судить при измерениях #1 - как быстро плывёт ток, и при методе теплового удара когда на кристалл подаётся большая мощность. При плохом внутреннем тепловом контакте, кристалл неизбежно сгорит, независимо от радиатора охлаждения.
Вот фото из #39.

Видно, что кристалл лежит на медной подложке - подошве примыкающей к внешнему радиатору.
В моих подделках кристалл лежит на толстой стальной подложке, а она на медной пластине, но толку от этого мало, тепловой удар такая компоновка выдержать не может. Так что дело не только в размере кристалла.

 

[KSV]

Из справочного листка на 2SC3281 напряжение насыщение не более 3 вольт при токе базы 1 А и коллектора 10 А. Я увеличил график из которого можно посмотреть что будет при токе 4 А.

Но и из него трудно уловить норму. Здесь насыщение 0,5 В при токе 10 А, а при 4 А на глаз примерно 0,17 В.
Но это типовое значение, а допускается втрое больше, вот и гадай подделка или третий сорт.
У транзисторов из Чипа и Дипа лучше линейность усиления при токах 20-200-2000 мА, напряжение насыщения 125 и 126 мВ - тоже отлично.
Но подделка тоже входит в допуск, хотя кристалл крошечный, тепловая мощность намного меньше, нет и речи о 150 Вт, горит и от 50...60 Вт. Но предположу (испытывать надо) ватт 30 выдержит и часто этого достаточно.
Усилитель JLHood 1969. Пусть питание 20 В и ток 2 А (для нагрузки 4 Ом). Тогда на каждом транзисторе по 20 Вт тепла - не так уж много.
А вот в лабораторном БП с режимом стабилизации тока 2 А и напряжением около 30 В они горят как спички т. е. 60 Вт их убивает сразу.
Если устроить им тепловой удар до перегорания, можно примерно оценить порог мощности поддельных транзисторов (в целом - неплохих) чтобы знать куда их можно ставить, куда - нет.
Схемное решение весьма простое - вариант схемы из #1.

 

[slami]

А как думаете, есть где-нибудь проверенная методика измерения этого параметра? ГОСТ какой-нибудь. Может , там позаимствовать полезные идеи?

ГОСТ 18604.22-78, "Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и эмиттер-база", действующий, есть поправка от 1984г, но суть верна, методика та же, только параллельно напряжение база-эмиттер измеряется. Напряжение удобнее измерять двухконтактными крокодилами (зажимами) как при четырехпроводной схеме измерения резистора, по одному контакту подается ток, по другому снимается напряжение.

 

[KSV]

Немного статистики. Поскольку в партии одной покупки результаты близки, буду приводить одно или два.
Детали в основном с Али и Чип и Дип.
Выводы делайте сами, они очевидны, но не всегда.
Подделки бывают более качественные и менее.
Цифры - напряжение насыщения К-Э в мВ при токе базы 0,4 А и коллектора 4 А.
2SA1302 P-N-P (Aliexpress) -1740
2SA1302 P-N-P (Чип и Дип) - 522, 406
2SC3281 N-P-N (Aliexpress) - 340
2SC3281 N-P-N (Чип и Дип) - 125
2SC3856 N-P-N (Чип и Дип) - 170
2SA1386 P-N-P (Чип и Дип) - 142
MJ15004G P-N-P (Aliexpress) - 1500
2N3055 N-P-N (Aliexpress) - 1368, 2643
MJ15003G N-P-N (Aliexpress) - 1384, 1480
2SD1047 N-P-N (Aliexpress) - 1086
КТ819ГМ N-P-N - 1214
КТ818ГМ P-N-P - 1271
MJL21149G N-P-N (Aliexpress) - 1184
2SC5198 N-P-N (Чип и Дип) - 209, 151
2SA1941 P-N-P (Чип и Дип) - 370
2SC5198 N-P-N (Aliexpress) - 1702
2SA1941 P-N-P (Aliexpress) - 620
2SD998 N-P-N (Aliexpress) - 205
2SB778 P-N-P (Aliexpress) - 510
Если в ЧиД и подделки, то более высокого качества.
При средней мощности детали с Али хорошо работают.
Советские транзисторы не блещут, хотя теплоотвод у них качественный, на меди не экономили.
Для меня интересно провести испытания "тепловым ударом".

 

[slami]

У 2SC3281 напряжение насыщения при 1А - 50 мВ, при 4 А - 0,14 В, из Чип-Дипа очень близко

 

[Александр Бокарёв]

2SC5198 2SA1941 , прыгаю до потолка , читая ваши цифры! Читаю про 778 998 - прыгаю пониже. но все равно дико рад. Спасибо- так спасибо!!!

 

[slami]

2SA1302 P-N-P (Aliexpress) -1740------------X - 270
2SA1302 P-N-P (Чип и Дип) - 522, 406---?? X - 270
2SC3281 N-P-N (Aliexpress) – 340------------X - 140
2SC3281 N-P-N (Чип и Дип) – 125-----------V - 140
2SC3856 N-P-N (Чип и Дип) – 170-----------V - 180
2SA1386 P-N-P (Чип и Дип) – 142------------V - 180
MJ15004G P-N-P (Aliexpress) – 1500----------X - 240
2N3055 N-P-N (Aliexpress) - 1368, 2643-------X - 300
MJ15003G N-P-N (Aliexpress) - 1384, 1480----X - 250
2SD1047 N-P-N (Aliexpress) – 1086---------?? X – 500 - 550
КТ819ГМ N-P-N – 1214-----------------------? X – 950 (500 – 1100), максимум 2В при 5А
КТ818ГМ P-N-P – 1271------------------------? X – 500 – 800, максимум 2В при 5А
MJL21149G N-P-N (Aliexpress) – 1184----------X – 180 – MJ21194 ?
2SC5198 N-P-N (Чип и Дип) - 209, 151---------V - 140
2SA1941 P-N-P (Чип и Дип) – 370--------------V - 500
2SC5198 N-P-N (Aliexpress) – 1702--------------X - 140
2SA1941 P-N-P (Aliexpress) – 620------------?? V - 500
2SD998 N-P-N (Aliexpress) – 205----------------V - 260
2SB778 P-N-P (Aliexpress) – 510---------------?? X - 350
Думаю нужно в комплексе с напряжением база-эмиттер, не зря в ГОСТе одновременное измерение Uce и Ube, если судить по нашим КТ819ГМ, небольшое превышение допускается, это о 2SA1941 с Али и 2SC5198 с Чип-Дип

 

[KSV]

Читаю про 778 998 . Спасибо- так спасибо!!!

Как говорится, пожалуйста, но я не понял что особенного.
2SD998 и 2SB778 мне понравились, хотя я сильно сомневаюсь в подлинности, а с другой стороны - не такие они популярные как 2N3055 или MJ15004G, чтобы их подделывать.
Усиление у них хорошее и стабильное.
Вот сильно подкачала мощность - корпус изолированный, целиком из пластика и тепловое сопротивление кристалл-корпус очень велико (в справках так и не нашел какое).
Поэтому при измерении Вст на пределе 2А они греются мгновенно, токи плывут, что печально и никакие радиаторы им особо не помогут.
С другой стороны, если их использовать вместо КТ816, КТ817 они будут неплохи. Крупные, конечно.
Интересно-таки будет бить транзисторы тепловой дубиной и смотреть при какой мощности они сгорят.
Да, кучка транзисторов сгорит, но будет больше информации, чем от вскрытия молотком.
Само собой, таким измерителем можно выставить любой ток базы и измерить его просто подключив тестер прямо к выводам тонкими проводами, но прямо к выводам.
Токи можно менять в широких пределах одним многими поворотами отвертки.
Для переключения с N-P-N на P-N-P я просто меняю полярность проводов на винтовых зажимах DC-DC модулей. Токи от блоков питания небольшие. Коллекторного менее 1 А, базового менее 0,1 А поэтому подходят любые. Один раз я поставил транзистор не той полярности, и ничего. После измерений модули достаточно просто отвинтить. Но пока собираюсь немного переделать в схему теплоудара.

2SA1302 P-N-P (Aliexpress) -1740 ----- X - 270
2SA1302 P-N-P (Чип и Дип) - 522, 406 --- ?? X - 270
2SC3281 N-P-N (Aliexpress) – 340 ----- X - 140
2SC3281 N-P-N (Чип и Дип) – 125 V - 140
2SC3856 N-P-N (Чип и Дип) – 170 V - 180
2SA1386 P-N-P (Чип и Дип) – 142 V - 180
MJ15004G P-N-P (Aliexpress) – 1500 X - 240
2N3055 N-P-N (Aliexpress) - 1368, 2643 X - 300
MJ15003G N-P-N (Aliexpress) - 1384, 1480 X - 250
2SD1047 N-P-N (Aliexpress) – 1086 ?? X – 500 - 550
КТ819ГМ N-P-N – 1214 ? X – 950 (500 – 1100), максимум 2В при 5А
КТ818ГМ P-N-P – 1271 ? X – 500 – 800, максимум 2В при 5А
MJL21149G N-P-N (Aliexpress) – 1184 X – 180 – MJ21194 ?
2SC5198 N-P-N (Чип и Дип) - 209, 151 V - 140
2SA1941 P-N-P (Чип и Дип) – 370 V - 500
2SC5198 N-P-N (Aliexpress) – 1702 X - 140
2SA1941 P-N-P (Aliexpress) – 620 ?? V - 500
2SD998 N-P-N (Aliexpress) – 205 V - 260
2SB778 P-N-P (Aliexpress) – 510 ?? X - 350
Думаю нужно в комплексе с напряжением база-эмиттер, не зря в ГОСТе одновременное измерение Uce и Ube, если судить по нашим КТ819ГМ, небольшое превышение допускается, это о 2SA1941 с Али

Ничего не понял - что такое X и V и к чему относятся знаки вопроса.
На счет измерения Б-Э не уверен, что оно надо, достаточно тока базы для уверенного насыщения, а это в 10...20 раз меньше тока коллектора.
Увеличение насыщения у 2SA1941 с Али вполне умеренное, а у парных к ним транзисторов 2SC5198 просто неприличное.
Я поэтому и писал: выводы делайте сами. Я и так слишком много комментирую.
Но предварительный вывод такой: не всегда по напряжению насыщения и измерению усиления по току можно определить подделку.
Основная западло подделка в моём понимании - это крохотный кристалл и плохой теплоотвод от него, что приведет не просто к перегоранию этой детали, но и кучи других. И я вынуждено пришел к выводу что нужна проверка по теплу.

 

[Александр Бокарёв]

В пробных замерах на летучей измер-макаке видел, как левак откровенно противится росту тока с нарастанием тока базы , зависает, потом начинает дымить. Чего нет у настоящих транзисторов. Там что дал , то и снял. Значит, можно наметить точку замера напряжения насыщения по прекращению роста тока эмиттера. А то мы ждем с него 4 ампера, а он на двук сдох.
Иначе говоря, дуем в транзистор базовый ток, пока ток коллектора не перестанет расти. Или начнет спадать. Смотрим напряжение к-э.

 

[slami]

X и V - плохо и хорошо
Насчет напряжения Б-Э, у транзисторов думаю будет определенная пропорция К-Э и Б-Э именно при насыщении, так как если просто Б-Э это как диод прозванивать, а в насыщении, если представить эквивалентную схему, то переход Б-Э состоит и базового и эмиттерного резистора и при прозвонке Б-Э работает только базовый резистор, так как эмиттерный резистор меньшего сопротивления и при базовом токе его влияние незначительно. А вот при насыщении падение на базом и эмиттерном резисторах складываются. Плюс №1, это то если кристалл транзистора транзистора (условно поддельного) меньшей площади, но лучшего насыщения К-Э, именно повышенное напряжение Б-Э покажет это. Плюс №2, тепловое сопротивление, которое сильно влияет на температуру кристалла, соответственно именно напряжение Б-Э при нагреве кристалла будет сильнее уменьшаться., есть даже методы испытаний транзисторов, где по падению именно Б-Э перехода измеряется температура самого кристалла (при стабильном токе базы)
P.S. Руки зачесались сделать импульсную схему (выше по постам), где можно напряжение К-Э одним каналом осциллографа измерить, Б-Э вторым каналом. Особенно это удобно цифровым осциллографом.

 

[Александр Бокарёв]

Немного статистики. Поскольку в партии одной покупки результаты близки, буду приводить одно или два.
Детали в основном с Али и Чип и Дип.
Выводы делайте сами, они очевидны, но не всегда.
Подделки бывают более качественные и менее.
Цифры - напряжение насыщения К-Э в мВ при токе базы 0,4 А и коллектора 4 А.
2SA1302 P-N-P (Aliexpress) -1740
2SA1302 P-N-P (Чип и Дип) - 522, 406
2SC3281 N-P-N (Aliexpress) - 340
2SC3281 N-P-N (Чип и Дип) - 125
2SC3856 N-P-N (Чип и Дип) - 170
2SA1386 P-N-P (Чип и Дип) - 142
MJ15004G P-N-P (Aliexpress) - 1500
2N3055 N-P-N (Aliexpress) - 1368, 2643
MJ15003G N-P-N (Aliexpress) - 1384, 1480
2SD1047 N-P-N (Aliexpress) - 1086
КТ819ГМ N-P-N - 1214
КТ818ГМ P-N-P - 1271
MJL21149G N-P-N (Aliexpress) - 1184
2SC5198 N-P-N (Чип и Дип) - 209, 151
2SA1941 P-N-P (Чип и Дип) - 370
2SC5198 N-P-N (Aliexpress) - 1702
2SA1941 P-N-P (Aliexpress) - 620
2SD998 N-P-N (Aliexpress) - 205
2SB778 P-N-P (Aliexpress) - 510
Если в ЧиД и подделки, то более высокого качества.
При средней мощности детали с Али хорошо работают.
Советские транзисторы не блещут, хотя теплоотвод у них качественный, на меди не экономили.
Для меня интересно провести испытания "тепловым ударом".

Нахлобучивают цифры потерь у 2N3055

 

[KSV]

дуем в транзистор базовый ток, пока ток коллектора не перестанет расти. Или начнет спадать. Смотрим напряжение к-э.

Так ток базы и выбран по стандарту 1:10 относительно коллекторного, это практически гарантирует насыщение.
А фокус в том, что дыма при таком измерении не будет т. к. напряжение коллектора малО - это и есть режим насыщения, если большое напряжение - насыщения нет (наверное можно поставить ток базы 1 А и сравнить напряжение насыщения - будет ли разница, но как-нибудь потом, пока меня тошнит от этих измерений, хотя не должно быть т. к. усиление у всех транзисторов достаточно большое).
При этом у нормальных транзисторов 4 А х 0,2 В = 0,8 Вт - не нужен радиатор, нагрев умеренный, напряжение плывёт, но очень лениво и немного.
У плохих транзисторов 4 А х 1,7 В = 7 Вт. Много, быстро греется, заметно плывёт напряжение, но за несколько секунд легко снять примерно показания, ни один транзистор рук не обжигал.
Так что с большим базовым током мы уходим от проблем. А если транзистор сгорит в таком мягком режиме, туда ему и дорога.
Подбор тока базы для каждого транзистора долог, неудобен, ведет к перегреву, а у горячего транзистора цифры другие.
Собираюсь греть, но уже без замеров (кроме мощности) по принципу годен (живой) - негоден (сгорел). Выдержат ли эти хилые модули, посмотрим.
Относительно 2N3055, они китайские и подделка 100%, не помню покупал их отдельно или они были в наборе.
На них даже надписи смазаны. Поэтому искать 2N3055 никому не советую - новые и настоящие найти трудно, лучше поискать замену.

 

[Александр Бокарёв]

Мне ваш подход в плане термоудара очень нравится. И сама идея прозрачная, греется - значит дрянь вместо транзистора. Сгорел при замерах- хорошо, что не в усилителе. Все правильно.
Мои псевдо BD911 тоже вскипели и задымили в совершенно детских режимах.

 

[KSV]

X и V - плохо и хорошо

Да, блин, у каждого свои секреты.

Насчет напряжения Б-Э, у транзисторов думаю будет определенная пропорция К-Э и Б-Э

Пропорция будет, но по большому счету Б-Э нам не важно, интерес абстрактный, академический, интерес представляет только если нет возможности измерить насыщение К-Э и именно при больших токах.
При этом в зависимости от величины кристалла и теплового сопротивления кристалл-корпус при большом токе будет плыть Uкэ.нас а нагрев базы меньше влияет на токи.

Мне ваш подход в плане термоудара очень нравится. И сама идея прозрачная, греется - значит дрянь вместо транзистора. Сгорел при замерах- хорошо, что не в усилителе. Все правильно.
Мои псевдо BD911 тоже вскипели и задымили в совершенно детских режимах.

Спасибо. А пришёл я к этой мысли так. В лабораторном БП на 2 А и 0...30 В в некоторых режимах были сильные пульсации. Оказалось - дефектный, но живой!! 2SD1047.
При его замене проверял КЗ выхода при токе 2 А, ток стабилизируется без отключения. Транзистор должен держать довольно долго, хотя на нём всё напряжение и мощность до 60 Вт. Выяснилось, что почти все транзисторы, которые мне не жалко, горят как спички, в том числе левые "с разборки" 2SC3281. При этом в интернете ВСЕ жалуются, что 2N3055 тоже горят моментально.
Я поставил 2SC2625 из БП компьютера - он высоковольтный и не для этих целей, но вот он держал нормально. Я сделал вывод - фальшивые маленькие кристаллы, молоток подтвердил предположение.
Тогда я подумал, что таким способом можно проверять и кристаллы и их теплопередачу.
Думаю сделать так.
Базовый источник, как в #1 но поскольку ток может быть более 100 мА думаю взять LM317 а схему от #1.
В эмиттере резистор 1 Ом или 0,5 Ом. Настроить на ток пусть 2 или 3 А.
Коллекторный источник - выпрямитель от трансформатора 100 Вт на переменное 24 В, выпрямитель и модуль на XL4015 с выходным напряжением от 10 до 30 В.
Ограничение тока 2 А. Подключение коллектора без резистора.
При подаче напряжения получаю мощность на транзисторе от 20 до 60 Вт.
Транзистор будет прижат или привинчен к небольшому радиатору. Радиатор позволит транзистору не перегреться за несколько секунд. При плохом кристалле и тепловом контакте этих секунд должно хватать для перегорания.
Выдержал транзистор - молодец, по одному буду судить о партии.
Опять всё просто, но надо слепить регулируемый источник напряжения для базы, временный сетевой блок питания. Я копаюсь медленно, так что это не 5 минут, но не очень долго и всё сгодится на простом макете.
Модули XL4015 хороши тем, что сами они греются мало. Будет греться резистор 1 Ом в эмиттере и сам транзистор. Пока не вижу особых препятствий, разве что китайские XL4015, но они расчитаны на 5 А (китайцы не пишут, что кратковременно, но это как раз мой случай), а мне достаточно 2...3 А.

 

[slami]

На Али покупал LM338K (1,25-32В 5А) в металле, подключил к 5В - на выходе 1,25В. Подал нагрузку ампера два - не работает. Достал вторую микросхему, плавно увеличиваю ток - работает до 0,8 А, потом обрыв цепи. в тисках сжал крышку, она не трудно отклепалась, а там кристалл 1,5х1,5 мм, но он целый, сгорели волоски (другого слова нет) от кристалла к выводам. Походу кристаллы от LM317 вставленны в корпус ТО-3. Кстати если хорошо потереть пальцем надпись на крышке она начинала стираться.

 

[АШ]

Мои псевдо BD911 тоже вскипели и задымили в совершенно детских режимах.

Да вот же. Я раскурочил один типа BD911, купленный в чипидипе. Кристалл 2*2 мм. Подделка? Или теперь они такие?

 

[slami]

2SD998 и 2SB778 мне понравились, хотя я сильно сомневаюсь в подлинности, а с другой стороны - не такие они популярные как 2N3055 или MJ15004G, чтобы их подделывать.
Усиление у них хорошее и стабильное.
Вот сильно подкачала мощность - корпус изолированный, целиком из пластика и тепловое сопротивление кристалл-корпус очень велико (в справках так и не нашел какое).

Тепловое сопротивление кристалл-корпус можно вычислить
Дано Р=80 Вт при 25 градусах, Tj=150 градусов
Rjc = (150-25) / 80 = 1,5625 градус на ватт

 

[Александр Бокарёв]

Не было на рынке в тот день проверенного продавца, брал в другом месте, оказались сильно разные, проверял по падению на Б-Э переходе .

 

[slami]

Да вот же. Я раскурочил один типа BD911, купленный в чипидипе. Кристалл 2*2 мм. Подделка? Или теперь они такие?

Скорее подделка, КТ819 примерно такие же по параметрам, там кристалл около 4х4 мм

 

[Александр Бокарёв]

На Али покупал LM338K (1,25-32В 5А) в металле, подключил к 5В - на выходе 1,25В. Подал нагрузку ампера два - не работает. Достал вторую микросхему, плавно увеличиваю ток - работает до 0,8 А, потом обрыв цепи. в тисках сжал крышку, она не трудно отклепалась, а там кристалл 1,5х1,5 мм, но он целый, сгорели волоски (другого слова нет) от кристалла к выводам. Походу кристаллы от LM317 вставленны в корпус ТО-3. Кстати если хорошо потереть пальцем надпись на крышке она начинала стираться.

Была история с 5-В стабилизаторами 7805 в ТО-3, обещали 10 Ампер. До 2 А не добегали, входили в ограничение тока . Задача была нагреть катоды двух в параллель 300В, это 2, 4 А. Вернули деньги.

 

[slami]

Не было на рынке в тот день проверенного продавца, брал в другом месте, оказались сильно разные, проверял по падению на Б-Э переходе .

Попробуйте коллектор-база замкнуть и подать ампера 2, транзистор будет не в насыщении, а в усилении как бы стабилизировать напряжение Б-Э, и замерить падение на нем, это будет более корректно по отношению как к транзистору, а просто Б-Э прозванивать это как диод звонить, коллекторный переход не участвует.

 

[Александр Бокарёв]

Попробуйте коллектор-база замкнуть и подать ампера 2, транзистор будет не в насыщении, а в усилении как бы стабилизировать напряжение Б-Э, и замерить падение на нем, это будет более корректно по отношению как к транзистору, а просто Б-Э прозванивать это как диод звонить, коллекторный переход не участвует.

Площадь кристалла связана с падением на нём, на этом принципе схема Агеева работает, драйверные триоды меньшей мощности требуют принудительного закрывания выходных триодов, а на одинаковых транзисторах все в параллель.

 

[АШ]

Скорее подделка, КТ819 примерно такие же по параметрам, там кристалл около 4х4 мм

Ну да, тем более, что BD911 вроде как 90 вт должны терпеть.

 

[slami]

Площадь кристалла связана с падением на нём, на этом принципе схема Агеева работает, драйверные триоды меньшей мощности требуют принудительного закрывания выходных триодов, а на одинаковых транзисторах все в параллель.

Не всегда, падение ещё зависит от толщины диффузного (сплавного) слоя между N и Р, думаю просто по падению Б-Э не определить подделка или нет. Например транзисторы имеют одинаковые токовые параметры, соответственно падения будут одинаковые, а напряжение или мощность могут быть совершенно другие.

 

[KSV]

На Али покупал LM338K (1,25-32В 5А) в металле

Я тоже для опытов купил на Али две штуки таких же.
Хочу попробовать.

Не всегда просто по падению Б-Э можно определить подделка или нет.

И по напряжению насыщения К-Э тоже, и даже по усилению и его зависимости от тока.
Для этого и пишу в данной теме, и не просто рассуждая, а что-то измеряя.
При этом все любительские покупные приборчики делают измерения на козявочных токах, а это для мощных транзисторов неприемлемо.
Вот и приходится что-то изобретать самому, благо это нетрудно.
И вот поэтому я скептически смотрю на схему с коротким мощным импульсом. Это хорошо для заведомо настоящих транзисторов, а для сомнительных, для реальных, лучше поддать жару - ток побольше и мощщи ввалить хотя бы кратковременно, чтобы сразу отсеять LM338K с нановолосками.

Да вот же. Я раскурочил один типа BD911, купленный в чипидипе. Кристалл 2*2 мм. Подделка? Или теперь они такие?

Есть у меня такие. Специально для Вас поставлю с ними опыты по усилению-напряжению, а затем найду жертву и разобью. Просто в данную панельку они не лезут. Но у меня все китайские (а может и нет, я не отмечал купленные в ЧиД поэтому искать трудно, а если ссыпал в кучку, то невозможно).
Но не сегодня-завтра. Если забуду - напОмните.

 

[Александр Бокарёв]

Есть мысль по крайним точкам области безопасной работы задать режим , одновременно крайнего тока и напряжения, сочинив некий повторитель с кипятильником, смещение задавать , чтобы на резисторе выпала положенная мощность. И смотреть, как будут отлетать неспособные к нормальной жизни подделки. Транзистор , разумеется, сажаем на конский радиатор. В нагрузку можно лампочку мощную, она заодно покажет, что клиент пробился или отгорел.
Правда, некие особенные типа 778-998 тоже гигнутся, как у меня в Агеевской схеме, пока питание было два по 15 в. все живы, дал два по 25- не успел понять ничего, как угольки остались.
В даташите ни слова про то, что в режиме А они не способны работать из-за чудовищного теплового сопротивления кристалл- корпус.

 

[АШ]

Есть мысль по крайним точкам области безопасной работы задать режим , одновременно крайнего тока и напряжения, сочинив некий повторитель с кипятильником, смещение задавать , чтобы на резисторе выпала положенная мощность. И смотреть, как будут отлетать неспособные к нормальной жизни подделки. Транзистор , разумеется, сажаем на конский радиатор. В нагрузку можно лампочку мощную, она заодно покажет, что клиент пробился или отгорел.
Правда, некие особенные типа 778-998 тоже гигнутся, как у меня в Агеевской схеме, пока питание было два по 15 в. все живы, дал два по 25- не успел понять ничего, как угольки остались.
В даташите ни слова про то, что в режиме А они не способны работать из-за чудовищного теплового сопротивления кристалл- корпус.

Так можно и нормальные транзисторы пожечь. Только если есть желание отобрать ну прямо самые живучие из всей кучи - тогда да.
Лучше бы конечно просто сочинить измерилку, чтоб без разрушения показывала крайние точки ОБР, но это невозможно.

 

[KSV]

Есть мысль задать режим чтобы на резисторе выпала положенная мощность.

Это сложно -транзисторов много, все разные.
У меня мысль проще - сделать несколько (два - три) варианта мощности, причем именно на короткое время "кристалл успел получить свою дозу, а радиатор пока не прогрелся и пока помогает кристаллу".
Мысль, что подделка хуже не на 20...30%, а в несколько раз. И если транзистор со 150-тью ваттами по паспорту (которые он может выдать только в жидком азоте) выдержит насколько секунд 50...60 Вт, значит он годен.
Не думаю, чтобы кристаллы на 150 вт заменяли кристаллами на 100 вт, а вот на 10-20 вт запросто.
Хочу максимально просто и повторяемо, пусть не по ГОСТу и не слишком точно.

В нагрузку можно лампочку мощную

а вот тут начинаются проблемы с поиском лампочек для разных мощностей и подсчетами сколько на лампе, сколько на транзисторе, поэтому хочу DC-DC преобразователь, у него есть индикация тока, а сначала - амперметр.
Ну не получится, ну сгорит, посмотрим. Заманчиво обойтись готовыми простыми и дешёвыми модулями, специально ничего не докупая и чтобы при сжигании не жалко было.

Правда, особенные типа 778-998 в Агеевской схеме, пока питание было два по 15 в. все живы, дал два по 25- не успел понять ничего, как угольки остались.

Хорошие транзисторы, жаль, что в пластике, тепловое сопротивление огромное. Для Худа точно не годятся, я тоже хотел попробовать их на Агеева. Значит 25 В - горят, а 15 В - нет. Запомнил.

Только если есть желание отобрать ну прямо самые живучие из всей кучи - тогда да.

Вряд ли в куче будет большая разница, а пытать всех - минимум половина сгорит. Думаю, прикинуть кратковременную мощность при которой они еще не горят, с некоторым запасом .

Тепловое сопротивление кристалл-корпус можно вычислить
Дано Р=80 Вт при 25 градусах, Tj=150 градусов
Rjc = (150-25) / 80 = 1,5625 градус на ватт

Это хорошо в промышленных условиях, а дома на практике - не очень.
Замер температуры долгий и неудобный. Измерять надо подошву, а она притёрта к радиатору. Делать дыру. вставлять термодатчик? Так он инерционный.
В общем, всё это хорошо, но я за это не возьмусь.
Подход у меня любительский: просто-дёшево-быстро в ущерб точности и стандартам.

 

[slami]

Правда, некие особенные типа 778-998 тоже гигнутся, как у меня в Агеевской схеме, пока питание было два по 15 в. все живы, дал два по 25- не успел понять ничего, как угольки остались.

Если работали при два по 15, то с токовыми параметрами норма, а при два по 25 умерли - возможно они по напряжению ниже, например, КТ819Г (100В) работает, а КТ819Б (40В) гикнется.
По испытанию на напряжение сделал приборчик, сейчас буду делать импульсный по току с пределами 0,5 - 1 - 2 - 5 - 10А, только немного расширенный: отношение тока базы к току коллектора сделаю не фиксированный 1/10, а переключаемый 1/10, 1/20, 1/50, 1/100, 1/250. Думаю так можно будет дополнительно увидеть примерное усиление на разных токах, а также проверить на нагрев.