Германиевые УНЧ

В полевых- ток на входной емкости затвора (на ВЧ)))
По-перше, освічені схемотехніки розглядають впливи режиму та сигналу на параметри схеми окремо і ніколи не підмінюють режими сигналами і навпаки.
По-друге, польові транзистори то принципово відмінна від біполярних технологія smile_10
Я розумію, що дизайнерам Закон не писаний, але ж про вас іншої думки.
А фізичні засади електронної техніки то таки окрема наука
 
В полевых- ток на входной емкости затвора (на ВЧ)))
Нужен - будет.
Мы говорим о принципах. Принцип биполяра - полевой.
Открой книжку, прочти, как, без напряжения на переходе, дырки бегут в общагу к электронам, а те - в общагу к дыркам, и чем они там занимаются.

Но только напряжение коменданта общежитий разводит их по местам и заставляет работать.
 
Большинство академиков даже не знают, чем плохи биполяры против полевых: у биполяров имеется встречный дрейф (под действием поля сторонних источников) основных и неосновных носителей заряда – поэтому носители сталкиваются, мешая друг-другу, и частично рекомбинируют, а в полевых единственные в своëм роде носители заряда спокойно и беспрепятственно движутся в толще полупроводника.
уточните, prego , о каких именно единственных носителях идет речь , упоминая полевые транзисторы? Это электроны либо внутри канала тоже есть рекомбинация носителей за счет примесей к полупроводнику?
 
Да ладно вам...
Все значительно СЛОЖНЕЕ, поесть проще

Согласно квантовой механике есть вероятность "изготовления по месту" ЛЮБОЙ элементарной частицы из кипящего вакуума Пространства.
Тоесть - где угодно, когда угодно и скока угодно

(стоит ЧЁРТ слегка склонившись ВЕЖЛИВО, как официант, с полотенцем через руку, и принимает заказ К ИЗГОТОВЛЕНИЮ)
 
Если кто хочет так сказать "припасть к истокам" ищите "модель Эберса Молла", там будет что то типа: потенциал вызывает дрейф носителей, который в свою очередь вызывает ток коллектора.
А желающие копнуть еще глубже см. модель Гуммеля Пуна. (не путать с Гумелей из ж.Радио :))
 
Умники, объясните мне, почему у ламп и полевых транзисторов основным параметром является крутизна, измеряемая в амперах на вольт, а у биполярных транзисторов - безразмерный коэффициент усиления по току? И почему на выходных ВАХ ламп и полевых транзисторов нарисовано семейство кривых в зависимости от напряжения на сетке (затворе), а у биполярного транзистора - в зависимости от тока базы?
И зачем управляющее наряжение в базу биполярного транзистора подаётся через резистор, который является ничем иным, как преобразователем напряжение/ток?
Мне, как схемотехнику, модель Эберса-Молла вообще не интересна. Я рассматриваю транзистор как чёрный ящик (четырёхполюсник) с определёнными свойствами. А эти свойства нарисованы на ВАХ. И глядя на эти ВАХ мне и в голову не приходит открывать транзистор напряжением. Я открываю его током. А вы - как хотите.
 
Последнее редактирование:
а у биполярных транзисторов - безразмерный коэффициент усиления по току
А с чего ты решил, что у них - один параметр? Отношение: 25 мВ прироста Убэ на 10 раз увеличения тока эмиттера - это тебе не крутизна уже? Поясни свою точку зрения.
И почему на выходных ВАХ ламп и полевых транзисторов нарисовано семейство кривых в зависимости от напряжения на сетке (затворе), а у биполярного транзистора - в зависимости от тока базы?
Сам понимаешь, чего мелешь? Есть характеристики входные, есть - выходные. Ты упомянул только выходные. Почему?

1770841685484.png

мне и в голову не приходит открывать транзистор напряжением. Я открываю его током.
Покажи любую схему, где ты задаёшь транзистору исключительно ток базы.
Чисто, чтоб поржать.

Смотрим, что он напорол тут:

1770841909936.png

Схема УМ МАСТЕР.

1770841969292.png

Диф отпирается заданным током эмиттеров. Ток базы - не нормируемый параметр. Пусть хоть нулевой.

1770842042953.png

Второй диф: режим задан током эмиттера Т13 от тока через Т14. Убэ вычитаются, остаётся соотношение сопротивлений эмиттерных резисторов. Базовых токов пусть хоть и не будет вовсе.

1770842152449.png

Транслятор тока для нижнего токового зеркала. Открывается током эмиттера, который задан половиной второго дифкаскада. Ток базы допускается и нулевой.

1770842235701.png

Нижнее токовое зеркало. Убэ вычитаются, остаётся соотношение сопротивлений эмиттерных резисторов.
Базовые токи необязательны.

1770842361403.png

Ток ВК задан напряжением меж базами его первого каскада, далее каждый каскад формирует напряжение отпирания следующему.
Базовый ток? Да провались он: ВК будет работать даже на БСИТ.

Итого: ни один режим током в безу не задан.
Почему?

Да потому, что Убэ кремниевого транзистора боль-мень понятен: 650 мВ для маломощных, 600...550 - для мощных приборов. Первичный ток ГСТ Т19, Т21, Т12, Т24
1770842627533.png

задан Убэ Т19 на резисторе 2. Всё. Больше ничего не надо. Прекращается этот ток - прекращаются все.

А вот если бы мы задали ток 1 мкА резистором/ГСТ в базу Т21, в зависимости от его Н21э, в пределах 50...800 раз, его выходной ток принимал бы значения от 50 мкА до 8 мА, что недопустимо с точки зрения выживания усилителя и замены Т21.
 
Все нормальные люди, когда хотят получить определённый ток коллектора, задают ему ток базы. Я ещё не встречал придурка, который бы пытался регулировать ток коллектора напряжением на базо-эмиттерном переходе.
Модель Эберса-Молла (Ebers-Moll) является базовой нелинейной математической моделью биполярного транзистора, используемой в симуляторах SPICE (PSpice, Micro-Cap, Design Center) для моделирования постоянного тока, переходных процессов и ключевых режимов. Она описывает работу транзистора во всех областях (отсечка, активная, насыщение) через токи двух диодов и управляемые источники тока.
Основные аспекты применения:
  • Схемотехника: Применяется для анализа статических и динамических режимов, учета емкостей переходов.
  • Ограничения: В чистом виде не учитывает эффекты высокого уровня инжекции и модуляцию ширины базы, поэтому в современных симуляторах чаще используется более точная модель Гуммеля-Пуна.
 
Дизайнере, не смій називатись схемотехніком. Ти до схемотехніка не довчився. Схемотехніків навчають на окремій спеціальності три роки загальноінженерної і два роки спеціальної підготовки. Всі інші, хто прослухав у виші аж один курс нібито схемотехніки на протязі одного семестру, так проходили повз.
Практичний досвід малювання на ватмані з кульманом ні про що, навіть, якщо то вся кар'єра.
 
Последнее редактирование:
Все нормальные люди, когда хотят получить определённый ток коллектора, задают ему ток базы. Я ещё не встречал придурка, который бы пытался регулировать ток коллектора напряжением на базо-эмиттерном переходе.
Есть такой придурок и вы его знаете. Выставляю ток покоя выходных и предвыходных транзисторов, заодно смотрю напряжение на базе.И всегда вижу разницу в показаниях. Большему току соответствует большее напряжение. Оно правда на два миллишиша больше, но факт. И тут тоже особенность. Только посмей ажурную капризную базу германия привязать базу к земле резистором в пару килоом, как у кремния. Такое начнется.....
Зато 20-25 Ом норма, все живы и пляшут. А кто назовет шунтирующий резистор в 20 Ом источником тока, пущай бросит в меня кусок кремния. Правда, резистор в эмиттере выходного транзистора включается в процесс, в итоге какой-никакой, а все же усилитель тока получается, управляемый напряжением . Не так все однозначно.
 
И тут тоже особенность. Только посмей ажурную капризную базу германия привязать базу к земле резистором в пару килоом, как у кремния. Такое начнется.....
Зато 20-25 Ом норма, все живы и пляшут.
Сам того не понимая, Бокарев сдал базу. Речь идёт о вот этих резисторах:
1770871163711.png

Почему германец не любит килоомов на этом месте?
Потому, что обратный ток коллектора создаёт достаточное для отпирания транзистора напряжение: 0,1 В / 1...3 кОм = 100...30 мкА.Обратный ток коллектора - это утечка, в просторечии. Значит, в первом приближении, коллекторный переход германца - это резистор в сотню килоом.

Вам для борьбы с искажениями нужно петлевое усиление в петле ООС. А теперь попробуйте набрать усиления с такими транзисторами. Если у кремниевых сопротивление коллектора намного выше, то и усиления они позволяют снять до 80 дБ с каскада ОЭ. А вот у германцев добро, если петлевое усилителя на двух каскадах с ОЭ - 9...20 дБ. С искажениями бороться нечем.

На эту немочь накладывается ещё и частотная область поведения транзисторов. Они не тянут усиливать уже 5...10 кГц, куда им перекрыть полосу в 20?
 
В представленной здесь схеме (повтор) базы транзисторов притянуты по постоянному току к эмиттерам сопротивлением 20 ом. А по переменному току они управляются током от генератора тока через токовый трансформатор.
ЗЫ. Вот ещё о чём забыл сказать. Управление транзистором от источника тока с высоким выходным сопротивлением полностью устраняет ступеньку. Ей неоткуда взяться, и это видно из модели Эберса-Молла. При управлении от источника с низким выходным сопротивлением, неизбежно появится ступенька. Её можно уменьшить ООС, но избавиться полностью не удастся.
 

Вложения

  • 214.png
    214.png
    47.7 KB · Просмотры: 58
  • 214_2.png
    214_2.png
    45.5 KB · Просмотры: 57
Последнее редактирование:
В представленной здесь схеме (повтор) базы транзисторов притянуты по постоянному току к эмиттерам сопротивлением 20 ом. А по переменному току они управляются током от генератора тока через токовый трансформатор.
тут понятно. Трансформатор дует ток в оба направления, закачивая его в базу и отбирая обратно накопленный в базе объемный заряд, все рады и пляшут.
А что имеем в случае односторонней накачки тока в базу и оставления ее один на один с резистором , который задаст скорость избавления от заряда. Ведь именно этот эффект с оставленными на ночь лишними гостями - ведет к появлению сквозного тока?
 
А что имеем в случае односторонней накачки тока в базу и оставления ее один на один с резистором , который задаст скорость избавления от заряда.
Если усилитель напряжения двухтактный, он подаст запирающее напряжение. На высоких частотах в любом случае паразитные ёмкости шунтируют генератор тока, и он уже не будет иметь высокое выходное сопротивление. Чисто токового управления не получится - часть тока от генератора уйдёт в базу, а часть - в конденсатор.
 
Если усилитель напряжения двухтактный, он подаст запирающее напряжение. На высоких частотах в любом случае паразитные ёмкости шунтируют генератор тока, и он уже не будет иметь высокое выходное сопротивление. Чисто токового управления не получится - часть тока от генератора уйдёт в базу, а часть - в конденсатор.
Добавлю. Низкое шунтирующее базу сопротивление повышает предельное напряжение коллектор-эмиттер. Для германия это дело очень важное. Для кремния уже так себе. Поэтому источник тока источником, а закоротить базу не мешает.
 
При включении вообще с закороченной по переменке базой (с ОБ) пробойное напряжение удваивается.
Причем пофиг, у какого транзистора, биполярного, или полевого.
Наверное, и у ламп тоже.
Включение с ОБ можно считать предельным снижением номинала базового резистора.
Естественно, частотные свойства тоже расширяются.
Не случайно гибридный каскад КП903/П215 показал полосу до 60 кГц по минус три, при включении с ОК.
Там базовый резистор в районе нескольких Ом.
 
Посмотреть вложение 171502
Напряжение на базе Т5 задано делителем. На эмиттере - падением напряжения от тока эмиттера.
Н21э в расчёте почти не принимается во внимание.
С интересом читаю посты, опровергающие то, что лично мне известно еще со школьных лет, а именно - биполярный транзистор управляется током базы и задача схемы - создать условия для протекания такого тока. Напряжение на базе задано делителем? А почему бы тогда не поставить резисторы делителя по паре мегаом каждый?
Напряжение база-эмиттер всю жизнь измерял только при ремонте, поиске неисправного транзистора, а в самодельных конструкциях и при расчете схемы и при налаживании имеем дело только с токами. Что это за измерение "двух миллишишей" если ток коллектора изменяется при этом в разы?
 
Последнее редактирование:
Струмом керують транзистор невігласи, хто не знає фізики напівпровідникових приладів.
Чомусь таких достатньо проміж радянських інженерів заочників.
Збіг? Не думаю. Ментальність _da
Синдром невизнаного генія і альтернативна обдарованість замість фундаментальної освіти за фахом.
Тому і з'являються проміж тут періодично заяви про нелінійні ефекти в лінійних колах, затримки в розвитку на стаціонарних сигналах і тому подібна маячня з розумним виглядом на обличчах.
 
Последнее редактирование:
При включении вообще с закороченной по переменке базой (с ОБ) пробойное напряжение удваивается.
Причем пофиг, у какого транзистора, биполярного, или полевого.
Наверное, и у ламп тоже.
Включение с ОБ можно считать предельным снижением номинала базового резистора.
Естественно, частотные свойства тоже расширяются.
Не случайно гибридный каскад КП903/П215 показал полосу до 60 кГц по минус три, при включении с ОК.
Там базовый резистор в районе нескольких Ом.
Проводимость у них разная. Что смущает начинающего гибридоведа.
 
С интересом читаю посты, опровергающие то, что лично мне известно еще со школьных лет, а именно - биполярный транзистор управляется током базы и задача схемы - создать условия для протекания такого тока. Напряжение на базе задано делителем? А почему бы тогда не поставить резисторы делителя по паре мегаом каждый?
Напряжение база-эмиттер всю жизнь измерял только при ремонте, поиске неисправного транзистора, а в самодельных конструкциях и при расчете схемы и при налаживании имеем дело только с токами. Что это за измерение "двух миллишишей" если ток коллектора изменяется при этом в разы?
На каждые 20 мВ Ube Ic меняется в десять раз, притом во всем диапазоне рабочих токов транзистора. H21E параметр нестабильный и сильно зависит от тока коллектора. Ток базы это паразитное явление связанное с несовершенством структуры транзистора. Так что заявление, что биполярный транзистор управляется током это ярко выраженный признак бестолковости. _neuchi
 
тут понятно. Трансформатор дует ток в оба направления, закачивая его в базу и отбирая обратно накопленный в базе объемный заряд, все рады и пляшут.
А что имеем в случае односторонней накачки тока в базу и оставления ее один на один с резистором , который задаст скорость избавления от заряда. Ведь именно этот эффект с оставленными на ночь лишними гостями - ведет к появлению сквозного тока?
В этом Бокарёв абсолютно прав.
 
Если частотные характеристики не нужны, обойдёмся двумя элементами - диод и источник тока, управляемый током.
Таким образом, модель описывает транзистор как устройство с двумя источниками тока, управляемыми напряжениями на обоих переходах. https://physics42.ru/tutorials/fizika-poluprovodnikov/model-ebersa-molla/
Суть модели Эберса – Молла заключается в том, что ток коллектора представляется функцией напряжения U БЭ. https://studall.org/all-109692.html
 
вот хороший германиевый ушник ,можно как прикомповый на чувствительные ширики использовать
ничего нового,просто хороший подбор транзисторов
 

Вложения

  • ушник гт.png
    ушник гт.png
    14.9 KB · Просмотры: 108
Конечно сходите. Это будет продуктивнее чем обижаться. Может больше не придется подвергать вот этому _neuchi
 
На каждые 20 мВ Ube Ic меняется в десять раз, притом во всем диапазоне рабочих токов транзистора. _neuchi
Приведите пример разработки схемы, где это правило лежит в основе расчёта. Без симулятора умеете?
И скажите мне - когда я разрабатываю схему по этим графикам, где я неправ?
PS. Вот вам простейшая схема . Покажите, как вы будете рассчитывать её на бумажке, карандашиком.
 

Вложения

  • п.png
    п.png
    67.4 KB · Просмотры: 58
  • f.png
    f.png
    4.1 KB · Просмотры: 47
Последнее редактирование:
Я такие схемы не применяю и связываться не рекомендую. Если кратко ток базы задает ток коллектора. Но это крайне нестабильное решение, так как режим транзистора зависит от тока базы. А ток базы зависит от экземпляра транзистора.
 
Я такие схемы не применяю и связываться не рекомендую. Если кратко ток базы задает ток коллектора. Но это крайне нестабильное решение, так как режим транзистора зависит от тока базы. А ток базы зависит от экземпляра транзистора.
Я тоже не применяю. Но я дал вам техзадание на расчёт. Предложите наиболее стабильный вариант. Вы обещали рассчитать через напряжение базы. Кстати, вы в курсе, что напряжение базы тоже нестабильно, и меняется на 2мВ на кельвин?
Не можете рассчитать эту - рассчитайте любую другую, которую применяете. Но я хочу всё-таки увидеть расчёт, где ток коллектора задаётся напряжением базы, и не просто задаётся, но им же и обеспечивается.
 
Я просто пройду мимо вашего традиционного хамства на одной чаше, в сторону другой, где тонны учебников и практической литературы
Адепты забывают, что те 20 мВ создаются током.
 

Статистика форума

Темы
3,295
Сообщения
262,404
Пользователи
2,545
Новый пользователь
vlad'mir
Назад
Сверху Снизу