Выбрал для анализа наиболее характерные, с небольшой бетой, и с большей.
Пять вольт:
N транзистора................девиация бета...........в диапазоне токов, А..............дельта, %.
.............4.................................25-30..............................0,01-5,5................................20
.............1.................................65-90..............................0,01-5,5................................38
Двенадцать вольт:
N транзистора................девиация бета...........в диапазоне токов, А..............дельта, %.
.............4.................................25-36..............................0,01-5,5................................44
.............1.................................67-98..............................0,01-5,5................................46
Двадцать четыре вольта:
N транзистора................девиация бета...........в диапазоне токов, А..............дельта, %.
.............4.................................25-45.................................0,01-3................................80
.............1................................70-111................................0,01-3................................58
Выводы. Может, таки лучше строить схему с квазикомплементарным выходом?
Или по схеме цирклотрона? Естественно, на выход цирклотрона пойдут 8101, а не 8102.
Еще лучше придумать новую конфигурацию ВК, с каскодным включением транзисторов.
Как уже говорилось, транзисторы имеют яркую индивидуальность, подбирать в пары, или выбирать для однотактов их надо не по одной или двум точкам.
А вот по такой вот лабораторке.
Бета номера пять и номера один при одном ампере, и пяти вольтах, очень близкая, 92 и 90 соответственно.
Но в указанном диапазоне токов нелинейность беты пятого (дельта) 163, а у первого 38%.
При увеличении напряжения коллектор-эмиттер замечается смещение максимума усиления в сторону больших токов, но более резкий спад на больших токах. У КТ8101 наблюдается максимум на 1-2А, а у КТ8102 на 0,1-0,5А.
Вот такая вот "комплементарность". То же самое, но в еще большей степени характерно и для более древних КТ818/КТ819.
На первом этапе тестирования КТ8101 немного задержался с записью параметров при поданном 24В 6А (144Вт), транзистор не выдержал - тепловой пробой, хотя использовал большой игольчатый радиатор с вентилятором охлаждения и термопасту.
Крепление было планкой над местом расположения кристалла, или просто винтом через отверстие?
Если просто винтом без пружины, то под транзистором образовывается клиновая щель, повышающая тепловое сопротивление кристалл-среда раза в два.