Немного пояснения, как родился "диодный бустер"
Так как я последний год занимался только Коротким трактом (один каскад УН), но при этом знал и понимал, что - для оосной схемы, неважно сколько в ней каскадов УН,но - нужно набирать петлевое усиление - по максимуму, (здесь я согласен с канонами оосья ), то всегда думал о том, КАК ? можно снять максимум усиления с одного двухтактного каскада УН, и это стало работать даже на подсознании, даже когда напрямую я об этом не думал.
И сначала я пытался сделать это доп.ГСТ в плечах, и вроде бы даже что то получалось,но схема получалась больно сложной для реализации в железе, потому что такие ГСТ должны были быть с плавающим источником питания, и это не очень то применимо для железа.
Что главное я знал про требования к УН в оосной схеме:
1. Усиление двухтактного УН зависит от номинала эмиттерных резисторов: чем они меньше, тем выше усиление, в пределе, вообще без них, усиление - максимальное, что может выдать каскад. И под оос это хорошо, ибо даже большая нелинейность- будет убираться оос, главное - максимум усиления. Это было понятно и не противоречило моему пониманию
Но! при этом требовании, входное сопротивление каскада становится неприемлимо низким, и трудно согласовать с предыдущим каскадом, особенно в случае моего схемотипа мелкоосника.
2. Я знал ещё из Хоровица,а потом почитал и у Агеева на Вегалабе, и на рцл, что для хорошей линейности УН, постоянное напряжение между его эмиттером и его шиной питания, должно быть не менее 2 - 2,5 в, при необходимом рассчитанном токе покоя, что и делали эмиттерные резисторы.
3.Это я принял на веру, ибо просто так такие вещи писать не станут,значит проверяли.
Вот эти исходные данные ( мах.усиление и напряжение 2,5 в) и были у меня, когда я думал об улучшении УН в мелкооснике.
4.Наверное мне как то помогло развить идею то обстоятельство, что - эмиттерный резистор в 200 ом, в железе у меня был составлен из двух последовательных по 100 ом, и недавно я как бы "увидел", что на каждом из этих резисторов падает лишь часть напряжения тока покоя транзистора, и тот резистор что на шине питания,а не в эмиттере, представился мне как опорный источник напряжения, с напряжением, равным падению напряжения на этом резисторе.
Но тогда получается, что если заменить его на источник напряжения, то эмиттерный резистор станет равным уже не 200 ом, а 100 ом, то есть - усиление вырастет. Он просто будет опираться уже не на шину питания, а на доп. ИОН.
И здесь мы убиваем сразу двух зайцев.
А) получаем большое усиление с одного каскада за счёт уменьшения эмиттерного R, )и - сохраняем линейность по канонам схемотехники, за счёт падения U между эмиттером и шиной питания, на необходимом уровне, в данном случае хотя бы 2-2,5 в.
Я проверил эту идею в симе, и да, искажений в спектре стало меньше, о чем я и написал в теме.
Потом мне пришла мысль что ИОН, можно заменить на диоды, или стабилизатор напряжения на транзисторе, на нужное падение, и тоже проверил в симе.
Результат был положительный и сопоставимый с ИОН ( батарейкой)
Потом я проверил это в железе, поставил светодиод с падением 1,9 в, а эмиттерный резистор пропорционально уменьшил до 68 Ом, и на слух сразу было слышно улучшение звука, он стал чище, видимо потому что - петлевое усиление выросло.
В последней схеме с дифкаскадом, я довел УН до предела, полностью убрал эмиттерные резисторы,что бы обеспечить мах возможное петлевое, и сим это проглотил и переварил нормально.
Конечно по хорошему, эмиттерные резисторы все равно нужны хотя бы ом по 10, но мне интересно было посмотреть предельные значения, и это сработало.
4. Ну и сейчас, буду развивать эту идею в железе, пробовать, слушать
