Действительно, модели БД139/140 оказались поганые, даже хуже, чем в микрокапе. Это потому, что я ими никогда не пользуюсь.
Пришлось делать нормальные, сейчас по частотным свойствам соответствуют филипсовскому даташиту - fT=55 МГц / 50 МГц для NPN/PNP :
.model 140_10 PNP (BF=200 BR=0.1 CJC=90P CJE=110P EG=1.11 FC=0.5 IKF=0.56 IKR=1 IS=10F ISC=400F ISE=970F ITF=10m MJC=0.5 MJE=0.5 NC=2 NE=1.56 NF=1.0016 NK=0.5 NR=1 NS=1 RC=0.31 RE=0.37 TF=2N TR=10N VAF=100 VTF=10 XTF=0.5 XTI=3)
.model 139_10 NPN (BF=200 BR=0.1 CJC=50P CJE=80P EG=1.11 FC=0.5 IKF=0.56 IKR=1 IS=10F ISC=400F ISE=970F ITF=10m MJC=0.5 MJE=0.5 NC=2 NE=1.56 NF=1.0016 NK=0.5 NR=1 NS=1 RC=0.31 RE=0.37 TF=2N TR=10N VAF=100 VTF=10 XTF=0.5 XTI=3)
Но для вышеназванного усилителя это ничего принципиально не меняет, чуть подросли искажения - с 0,0034 до 0,0048%, несколько изменилась АФЧХ на ВЧ (в том числе ГВЗ)
Общий принцип: чем мельче ООС и примитивнее коррекция,
тем сильнее влияют нелинейности каждого транзистора на искажения усилителя и значит важно соответствие ВАХ транзистора и модели;
тем меньшее значение имеет соответствие частотных свойств транзисторов и моделей.
И наоборот: с увеличением глубины ООС и порядка спада петлевого усиления, тем больше значение имеет соответствие моделей транзисторам в частотных свойствах,
поэтому необходимость подгонки моделей по ВАХ отсутствует.
Про одинаковость параметров в паре: это не баг, а фича,
позволяет на начальном этапе разработки глубокоосного усилителя не отвлекаться на мелочи,
поскольку разница между PNP и NPN транзисторами в паре - максимум в 2 раза, находится на уровне разброса параметров транзисторов одного типа, одной группы.
