Динозавр
1 ранг
- Регистрация
- 31 Янв 2023
- Сообщения
- 2,026
- Реакции
- 606
- Репутация
- 49
- Страна
- Россия
- Город
- станица Пашковская
- Имя
- Александр
- Предупреждений
- 1
статью Пашинина и добавьте транзистор (диод Шоу)))
статью Пашинина и добавьте транзистор (диод Шоу)))
Я би в емітер Т9 за посиланням також резистор на 1 Ом додав.
ИГБТ,это вроде не для сварочных инверторов?Полевики вчерашний день. Нормальный звук только на IGBT.
Затарил парочку IGBT, для настоящего звука. Германий и мосфеты курят в стороне, против 60 амперных игбт-шек. Одна пара, раскачает самую тугую АС, и даже уничтожит, если нужно.Посмотреть вложение 121126
Вот и я о чём.IGBT силовые и для инвертора идут.
В смысле: для инвертирующих усилителейIGBT силовые и для инвертора идут.
IGBT . Открывается хорошо. остальное -под вопросом. И мысленно предположу. Импульс. Открылся. Пауза. Рассосалось. Потом новый импульс. заперся. И так далееВ смысле: для инвертирующих усилителей?
Какой был масштабный вокал... Магомаев или что потяжелее типа Кузьминана родные колонки 4ГД-35 звучит очень неплохо. Звук не утомляет даже при длительном прослушивании.
100кГц меандр без проблем потянут. А ещё в них диоды клёвые аудиофильские, можно мост сделать. Кстати в мосфетах некоторых класные диоды, с суперскими характеристиками. Можно мосты делать из мосфетов, закоротив g-s. Недорого и мощно.IGBT . Открывается хорошо. остальное -под вопросом. И мысленно предположу. Импульс. Открылся. Пауза. Рассосалось. Потом новый импульс. заперся. И так далее
Это так. Под технологический диод отведена большая часть кристалла, так дядечка один рассказывал, спец по полупроводникам. И не так давно занялись вопросом , намеренно уменьшая площадь этого диода в пользу транзистора.100кГц меандр без проблем потянут. А ещё в них диоды клёвые аудиофильские, можно мост сделать. Кстати в мосфетах некоторых класные диоды, с суперскими характеристиками. Можно мосты делать из мосфетов, закоротив g-s. Недорого и мощно.
Для звука вестимо.А зачем переделывать чтоб поднять мощность нужно напряжение увеличивать или менять схему.
Есть варианты одного и того же транзистора, с разными диодами. Маркируются разными буквами в конце. Нужен усиленный диод, покупаете с мощным, в зависимости от задач и схемы. Нужен средний, пожалуйста. Пофиг на диод, лишь бы был, берёте с дохлым. Бывают igbt без диода вовсе.Это так. Под технологический диод отведена большая часть кристалла, так дядечка один рассказывал, спец по полупроводникам. И не так давно занялись вопросом , намеренно уменьшая площадь этого диода в пользу транзистора.
Приведите марку таких транзисторов. В полевых транзисторах (MOSFET), внутренний диод паразитный и с плохими характеристиками для ключевых схем. Есть вариант его исключения из работы: с помощью диода Шоттки и диода с хорошими параметрами.Кстати в мосфетах некоторых класные диоды, с суперскими характеристиками
Когда возился с схемами на германии, то высокочастотные транзисторы на выходе (и входе) избавили схему от кучи корректирующих емкостей, вплоть до их полного отсутствия. И полоса улетела за сотни кГц без последствий и битвы за устойчивость. Ясен пень, что звуку сильно полегчает в таком случае.А зачем переделывать чтоб поднять мощность нужно напряжение увеличивать или менять схему.
Всі відмінності на частотах нижчих за 200 Гц, Це обумовлено вхідним опором близько 1МОм і ємністю головки відтворення грамзапису близько 600 пФ. Бо Т1 то такий собі підсилювач-коректор. Щодо ємності конденсаторів, правильно 0,1 мкФ для С1 і 5 мкФ для С2Перемена кондеров местами ни на что не влияет .Все отличия на единицах Герц, вне звукового диапазона. К тому же входной каскад выполнен по типовой схеме для германия, чтобы с помощью ПОС увеличить входное сопротивление, а в схеме уже стоит кремниевый КТ315, которому эти пляски с бубном не нужны и смысла в них ноль. И емкость с эмиттера в цепь смещения базы полезнее переместить в землю , фона не натянет лишнего.
П416БГТ308В надо поискать