Германиевые УНЧ

В справочниках вообще не приводятся эленты модели Эберса-Молла, кроме h21, а схемы чудесно разрабатывались.
Мало того, все эти схемы разрабатывались без учёта hFE и сейчас точно так же разрабатываются.
 
Повторители принципиально управляются только напряжением
1774771807794.png


1774771971039.png

Есть вариант с выходом на мосфет- там действительно напряжения.
 
Усилитель спроектирован мерзопакостно: относительно низкоомные входы мощных повторителей и ОЭ ВК током баз вносят погрешность как в делитель, так и в ток ОЭ Т2. Но что с того, если этот ток, с повышением беты, станет равен 1 мкА? Усь выйдет из строя? - нет.

Как нет и цепей установки управляющего тока базы строго калиброванного значения.
 
Чота канструктырь не показывает мастеркласс проектирования каскадов с использованием Эберса понимаш Молла,
ну или, на худенький конец с использованием hFE.
Ладно уж, покажу, что это всё лажа.
Берём первый каскад Худо, прямо у динозавра и берём:

500.png


обращаем внимание: коэффициент передачи тока, бета, по простому - примерно 500, а усиление каскада чуть больше 3 (трёх).

Берём другой транзистор, бета примерно 200:

200.png


что за хрень? Усиление каскада даже капельку больше.

Ну ладно, берём дефектный 2N3906, у него бета = 20:

20.png


И что же мы видим? А видим мы, что усиление каскада на прежнем уровне - три с копейками.
 
Последнее редактирование модератором:
обращаем внимание: коэффициент передачи тока, бета, по простому - примерно 500, а усиление каскада чуть больше 3 (трёх).
Параметры транзистора можно прописать прямо на схеме:
.model NP NPN(BF=125 Cje=2p Cjc=2p Rb=500 VAF=80)
.model PN LPNP(BF=50 Cje=1p Cjc=3p Rb=250 VAF=60)

из них бету BF - степировать. Так нагляднее.
 
Здесь на форуме обитает Николай Сухов. Он уже с пол-века усилители разрабатывает. Тогда ещё и в снах не видели никаких стмуляторов. Спросите-ка у него, сколько раз он применил полную модель Эберса-Молла за всё это время. Хрен ли толку с этой модели, если в справочниках нет сопротивления базы? Ну, ладно, сопротивление эмиттера примерно известно - 25 ом при токе 1 ма.
Все что нужно знать от Э-М, это то, что ток коллектора пропорционален току базы, а падение напряжения на базо-эмиттерном переходе около 0.6 вольта, плюс-минус несколько соток, которые зависят от сопротивления базы. Но, поскольку оно неизвестно, то на него можно вообще забить. Исходя из этих двух фактов (а это Т-модель) сочиняем схему в первом приближении. Резисторы рассчитываются исходя из того, какое падение напряжения на них предполагается, и какой режим по постоянному ТОКУ хотим получить. А не наоборот. Напряжение за вычетом 0.6 делим на ток, получаем сопротиволение.
Затем, уточняем схему по справочным выходным ВАХ, где нарисованы зависимости коллекторного тока от ТОКА базы.
А потом шлифуем схему на макетной плате с генератором, осликом и паяльником в руках.
Как-то так делали всегда нормальные схемотехники. А не школяры с симулятором. Конечно, симулятор позволяет избежать ошибок на начальном этапе ( бывает у всякого). Но придуман он для серьёзных людей, которые, при случае, и без него могут обойтись.

Я всё ждал, когда мне кто-нибудь приведёт пример управления каскадом ОБ от источника ЭДС. Не дождусь, наверное.
Дифкаскад можно рассматривать как каскод ОК + ОБ. Правый транзистор - у него база на земле. А управляется от источника с низким выходным сопротивлением. Но даже в дифкаскаде ставят эмиттерные резисторы, чтобы перевести управление ближе к токовому.
В моём "Гаргантюа" первый каскад ОБ управляется от коллекторного повторителя. А в последней ипостаси я поставил на это дело аж целый операционник с токовой разгрузкой, тем самым снизив выходное сопротивление источника практически до нуля. Искажения снизились на порядок.
Но я-то хоть понимаю, что я делаю. И, клянусь, модель Эберса-Молла я и в этом случае не доставал.
 
Бывают случаи, когда полная модель транзистора может понадобиться. Например, Хоуксфорд, когда изобретал свой корректор, то, наверно, пользовался. Или, например, в "Искусстве схемотехники" Хилла с Хоровицем было описание термодатчика на паре транзисторов - там тоже надо. Но это всё такая редкость...
 
ток коллектора пропорционален току базы
На деле, наоборот. =
Вот мне нужен генератор тока 1 мА. Я задаю резистор в эмиттере не менее 240 Ом для получения на нём 10*25 мВ в целях термостабильности. Затем задаю с помощью ИОН напряжение на базе, как 650 мВ (в среднем) + 250 мВ = 900 мВ. Всё, готово, работает.

Чаще всего, можно просто задать напряжение на базе 1,3 В двумя диодами, минус Убэ 650 мВ (один диодный переход) и разница в 650 мВ падает на резисторе в эмиттере 620...680 Ом, в зависимости от терпимого знака разброса тока.
1774791745289.png

Тут весь расчёт строится на балансе напряжений: на базе, на эмиттере, разница - на эмиттерном резисторе.

Где тут про ток базы? Ток базы - неизбежное зло, он не планируется и не управляется ничем, а учитывается в токе ИОН на самый худший вариант с наименьшей допустимой для данного типа транзисторов беттой, чтобы в нетребовательный по точности каскад можно было сплавить любой завалявшийся, но пригодный в дело, фуфель.

Я всё ждал, когда мне кто-нибудь приведёт пример управления каскадом ОБ от источника ЭДС. Не дождусь, наверное.
1774792319549.png

Ну, что ты. Дождёшься. Какие твои годы.

Но даже в дифкаскаде ставят эмиттерные резисторы, чтобы перевести управление ближе к токовому.
Глупости. Резисторы в дифе ставятся для стабилизации усиления каскада при разбросах параметров транзисторов и разных сигналах.

Но придуман он для серьёзных людей, которые, при случае, и без него могут обойтись.
Как раз тебе повезло. Я и серьёзный, и могу любому конструктору без симулятора пояснить, что транзистор управляется стабильным и предсказуемым напряжением Убэ, а ток базы - величина переменная и паразитная. Вот завтра придумают БТ с беттой в миллион, током базы в наноампер, и все мои схемы будут так же прекрасно с ними работать, как и с беттой 20 раз.

из них бету BF - степировать
Вот, кстати, к предмету разговора неквалифицированного персонала об управляемых током транзисторах:

1774793143448.png

Строчка параметров транзистора:
.model NP NPN(BF={Z} Cje=.5p Cjc=.5p Rb=500)
Зэт степируем от 10 до 1200 шагами по 200 раз:
.step param Z 10 1210 200
1774793326197.png


Самое низкое усиление - при бетте=10. Просто потому, что Rн каскада состоит из параллельного включения
сопротивления коллектора
и
входного сопротивления следующего каскада.
При бетте = 10 низкое входное сопротивление каскадов шунтирует нагрузку предыдущих:
Ку = Rн / rэ.
С беттой 200 раз и выше характеристики ОУ меняются мало: на 20 дБ на частотах в миллигерцы.

Ну, и где там токовое управление? Не дождусь, чтоб показали.
Да это и невозможно технически:

1774793686092.png
 

Вложения

Ну, и где там токовое управление? Не дождусь, чтоб показали.
У тебя все режимы задаются токовыми зеркалами. А режимы этих зеркал заданы резисторами. Покажи мне в этой схеме хоть один транзистор, где ты задаёшь его коллекторный ток напряжением. Резистор R13 ты как считал? И на что он влияет?

Если режим транзистора задан источником тока - это что, не токовое управление? Где источники эдс?

На деле, наоборот. =
Вот мне нужен генератор тока 1 мА. Я задаю резистор в эмиттере не менее 240 Ом для получения на нём 10*25 мВ в целях термостабильности. Затем задаю с помощью ИОН напряжение на базе, как 650 мВ (в среднем) + 250 мВ = 900 мВ. Всё, готово, работает.

Чаще всего, можно просто задать напряжение на базе 1,3 В двумя диодами, минус Убэ 650 мВ (один диодный переход) и разница в 650 мВ падает на резисторе в эмиттере 620...680 Ом, в зависимости от терпимого знака разброса тока.
Посмотреть вложение 178616
Тут весь расчёт строится на балансе напряжений: на базе, на эмиттере, разница - на эмиттерном резисторе.

Где тут про ток базы? Ток базы - неизбежное зло, он не планируется и не управляется ничем, а учитывается в токе ИОН на самый худший вариант с наименьшей допустимой для данного типа транзисторов беттой, чтобы в нетребовательный по точности каскад можно было сплавить любой завалявшийся, но пригодный в дело, фуфель.
У тебя R9 - оос по току. Почему не по напряжению? И как ты рассчитывал ток коллектора? Да, на резисторе R9 разница напряжений. Но зачем он тебе понадобился вообще? Нахера он там, если можно просто задать напряжение на базе? Может, ты задаёшь им ток?
И, кстати, ток эмиттера не равен току коллектора. Вот здесь причём ток базы. Он даёт тебе погрешность преобразования. К тому же увеличивая падение на переходе за счёт падения на сопротивлении базы

И по поводу твоей говносхемы ОУ - ты PSR рассчитывал? Знаешь, что это такое? У тебя же все режимы от напряжения питания зависят, как жизнь дяди Пети от похмелки.
 
Покажи хоть одну разработанную тобой или другими такими же верунами схему с управлением баз током.
Да без проблем. Схема не просто разработана, она давно работает в железе.
П609а управляется током, и капсюль наушников управляется током.
1677656685959.png
 
Да без проблем. Схема не просто разработана, она давно работает в железе.
Да она безграмотная, оттого и работает. Ты вливаешь в базу П609 0,7 мА тока и хочешь получить 110 мА тока коллектора. Делишь одно на другое и соображаешь: работать твоя махарайка может только при бетте 157,142857 раза с копейками. Что и написано вот здесь:

1774843196871.png

Ты сделал корч.

А режимы этих зеркал заданы резисторами.
Безграмотная брехня. Никакими резисторами НИКОГДА НИЧЕГО не задаётся.
А только токами через них или напряжениями на них.
Покажи мне в этой схеме хоть один транзистор, где ты задаёшь его коллекторный ток напряжением.
1774843427449.png

Входной диф, 4 прибора: ток покоя всех них задан:
падением напряжения на Т4 в коллекторах Т1Т2,
оно управляет напряжением Убэ Т9 ОЭ,
тот нагружен на генератор тока Т13 с заданным падением напряжения (не тока) на базе Убэ Т12 в диодном включении на базе и напряжением на рез.4 в эмиттере,
и выходное напряжение с коллекторов Т9Т14 управляет НАПРЯЖЕНИЕМ ЖЕ меж базами Т1Т2 и базами Т5Т6 с целью добиться ПАДЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ УбэТ4 = УбэТ9 при заданном тому КОЛЛЕКТОРНОМ токе Т13.

Итого: все управляются напряжениями, что и показано выше на графике Ку от беты. Разуваем глаза, изучаем.

Далее.

Токовое зеркало Т7Т8 управляется напряжениями на его эмиттерных резисторах 1 и 3, с другой стороны - напряжением на базах с эмиттера Т3. Укэ Т7 = 1 В, по этим причинам: два диодных перепада при токе порядка десятков микроампер.

Ещё далее: высокоомный выход дифа с коллекторов Т5Т8 нагружен на высокоомный вход Т16 повторителя и управляет имс помощью напряжения. Ещё ни один дурак повторителями током не управлял.

Т16 эмиттерным напряжением управляет базой ОЭ Т16, а ООС на рез.6 - напряжением на его эмиттере. Именно они принимаются в расчёт режимов, а ток базы - величина паразитная, неизбежная, как природное явлением, смотрим на графики:

Строчка параметров транзистора:
.model NP NPN(BF={Z} Cje=.5p Cjc=.5p Rb=500)
Зэт степируем от 10 до 1200 шагами по 200 раз:
.step param Z 10 1210 200
1774793326197.png


Нагрузка Т15 - ГСТ Т11, управляемый падением напряжения Убэ Т10 в диодном включении.

ВК управляется напряжением на Т14 за вычетом напряжений на токостабилизирующих эмиттерных резисторах 9 и 10.
Расчёт окончен.

Итого, все активные транзисторы управляются напряжением.
А есть что-то одно, управляемое током?
Да, это аж два транзистора в диодном включении: Т10Т12, чьи Убэ зависят от тока через масштабирующий рез.13.

И всё. Больше управления током нет, прошу указать обратное, опять же, с учётом графика АЧХ, усиление на котором от токов баз почти не зависит, а если и зависит при беттах до 200 раз, то просто потому, что паразитный ток баз путает расчёты - хотя, должен был быть учтён при проектировании.

Тэкшта. Где тут управление током и где расчёт этого управления с регулировкой именно тока базы?
 
Тєкшта черговий "плоскоземелець" з "біполярочкою", зі звичайним тролінгом.
Для якого біполярний транзистор не керується струмом, для нього він керується напругою.
Бета, коефіцієнт передачі струму, вказана саме для цього. Бо якщо буде інше її значення, струм лампи в базу доведеться підкоригувати.
Робочу реальну схему, яка сподобалась замовнику, назвав "безграмотною" і саме тому вона працює.
Щось ще треба додати до коменту?
 
Последнее редактирование:
Итого: все управляются напряжениями, что и показано выше на графике Ку от беты. Разуваем глаза, изучаем.

Да ты сам-то глаза разуй.

Токовое зеркало Т7Т8 управляется напряжениями на его эмиттерных резисторах 1 и 3
Эти эмиттерные транзисторы - обратная связь по ТОКУ.
Для чего вообще в этой схеме ТОКОВЫЕ зеркала? Если транзистор управляется напряжением - так и ставь источники опорного напряжения.
В этой схеме каждый последующий каскад управляется источником ТОКА с высоким выходным сопротивлением.
Транзистор Q16 управляется разницей коллекторных токов Q5, Q8 и Q17. Ты посчитай импеданс схемы в этой точке с разомкнутой ООС. Там сходятся в одной точке три коллектора и ни одного резистора.
Погляди на эту картинку (1) и объясни её физический смысл, как ты её понимаешь. Для сравнения вторая картинка - для прибора, управляемого напряжением. Логика в твоей голове живёт?
Разницу видишь? Если оба прибора управляются напряжением - почему картинки разные?
Это был ключевой вопрос, и последний. Больше я с тобой спорить не буду. Хрен с тобой, живи уродом.
 

Вложения

  • 6.png
    6.png
    40.8 KB · Просмотры: 54
  • 7.png
    7.png
    35.6 KB · Просмотры: 51
Налицо дуализм во всей красе. Транзистор управляется током, спору нет. Но чтобы ток создать между переходами, нужен исходный перепад напряжений , его создающий. И наоборот, ток через переход создает разность потенциалов на нем, с логарифмической зависимостью от тока. Как было в одной книжке : мы говорим об одних вещах разными словами, но сами вещи от этого не меняются.
 
Тобто джифет і біполярний транзистор керуються однаково?
Де я можу взнати коефіцієнт передачі струму затвора транзистора КП302В1?
Як розрахувати каскад на П609А виходячи з крутизни?
От в тій своїй схемі виходив з бети, і все вийшло.
До речі, коли керувати біполярним транзистором струмом, від джерела з відносно високим вихідним опором, то це більш лінійний режим.
І ніякої "біполярочки" формального "дуалізму".
 
біполярний транзистор не керується струмом
Так и есть. Ты ж сам указал, что с бетами П609 ниже 150 твоя махарайка работать не будет. И тут же верещишь: а как это?

Могу спросить и у тебя: а как это ты проектировал?! Ну, вот зарядил ты ёмкость эмиттерного перехода П609 током, а стекает он куда? Никуда. Так и отпирает транзистор, пока на ток базы сама не разрядится.

Просто ты - автор энциклопедии безграмотного паяния деталей.
Эти эмиттерные транзисторы - обратная связь по ТОКУ.
Безграмотное заявление. Да, это ООС по току, но нас интересует: а как эмиттерный резистор управляет током базы?
Никак. Он управляет напряжением на эмиттере при фиксированном напряжении базы. Как в генераторах тока с опорным ИОН.
Итого, имеем ДВА напряжения: на базе и эмиттере, меж ними - управляемый их разностью эмиттерный переход. Ясно же.
В этой схеме каждый последующий каскад управляется источником ТОКА с высоким выходным сопротивлением.
Дуристика, но примем, как идею. Теперь РАССЧИТАЙ мне каскад на основе этого бреда: вот просто так задай ток базы.

И там ты срочно упрёшься в необходимость установки транзисторов с калиброванной беттой. А как ты её не калибруй, она плавает, и имеет заданное значение только в одной точке - на пересечении определённых токов, напряжений и температур. При других условиях бетта изменится и расчёт развалится, а схема пыхнет синим дымом.

Итак, конструктор мало того, что не понимает, чем перетягиваются из сопредельных зон перехода дырки и электроны, зачем для этого отпирающее напряжение, разное для разных ПП- материалов, так ещё и не сможет ни спроектировать схему на основе расчёта токов баз, ни застабилизировать её.

Ну, а вторая сигнальная система используется им для маскировки этого факта.
Транзистор Q16 управляется разницей коллекторных токов Q5, Q8 и Q17.
Вот этот каскад и рассчитай мне по токам баз: что с ним будет, если бетты поплывут?

Жду рассчёта, а не брехни словесной.

На деле, как Т16 управляется напряжением, так и токовое зеркало рассчитывается с тем, чтобы все транзисторы работали в своих диапазонах напряжений. Ток базы - всего лишь паразитный параметр, учитываемый в неких пределах, но не задаваемый ввиду невозможности сего идиотического деяния, см. выше причины.

почему картинки разные?
Всякий усилительный прибор управляется напряжением как на управляющем участке: сетка-катод, баща-эмиттер, так и напряжением на выходном электроде по отношению к другим.

Так что живи уродом, я уважаю твой выбор, но жду расчёта каскадов показанного ОУ по токам баз и поплытию бетт. Дай рассчитанную по токам баз схему, мы хоть поржём нормально.
Налицо дуализм во всей красе.
Это пока лампадник смотрит на транзисторную схемотехнику издали. Как только он попытается её рассчитать, тут-то дуализм и прикончится в судорогах: нужен опорный параметр, зная который, можно задавать каскадам режимы по токам и напряжениям. И это нихрена не разбросная, зыбкая, плывучая от температуры, бетта.

Этот параметр - Убэ 650 мВ, идеализируя коллектор как выход абсолютного ГСТ и принимая бету в неком дипапазоне значений, типичных для данного транзистора по справочнику.

Щас будет смех, когда канструхтырь попытается сляпать каскад с учётом только беты, а делителя напряжения в базе нет. Тут его постигнет лютый баттхёрт в виде одновременного осознания: и спроектировать ничего не вызодит, и признаться в этом нельзя. Особенно приколен будет расчёт того же ВК ОУ: по сути, в расчёте это - два генератора тока, управляемые разностью меж заданным им напряжением баз и напряжениями на эмиттерных резисторах.
Ну, и пыхнет он после безграмотного расчёта тоже показательно.
Як розрахувати каскад на П609А виходячи з крутизни?
Никак. Там Убэ - опорный расчётный параметр. Твоя махарайка неработоспособна, если бета П609 менее 150, и ты сам это указал, заранее подтвердив мой расчёт. 20...100 раз бетты - и усилителю не поможет даже Господь Бог.
 
Да без проблем. Схема не просто разработана, она давно работает в железе.
П609а управляется током, и капсюль наушников управляется током.
Усовершенствовали усилитель для наушников гибрид,молодцы.
 
Запостил реально работающую схему,
которой восторгаются десятки и сотни поклонников германиевого звука.
Схема реально работает, раз популярна среди меломанов
Набежало милилон теоретиков из ультралинейной секты.
Снова ( в который раз) обосрали весь германий
И срутся меж собой у кого лингам толще.
Еще и все д артяньяны.
Вы щас о5 полгода тут будете выяснять кто дартаньян а кто кругом 3,14дарасы?

Может свалите в отдельную флудилку
Где будете сраться ?
Не форум а цирк
Не цирк. Цирк уехал, а клоуны остались.
 
Налицо дуализм во всей красе. Транзистор управляется током, спору нет. Но чтобы ток создать между переходами, нужен исходный перепад напряжений , его создающий. И наоборот, ток через переход создает разность потенциалов на нем, с логарифмической зависимостью от тока. Как было в одной книжке : мы говорим об одних вещах разными словами, но сами вещи от этого не меняются.
Ну, как бы, да. Для переноса электрического заряда нужна разница потенциалов. На самом деле, схемотехнику не важно, какие процессы происходят внутри кристалла. Всё, что нужно ему знать - без тока базы транзистор не откроется. Чтобы его открыть , нужно сформировать внешними цепями нужный ток.

Никак. Он управляет напряжением на эмиттере при фиксированном напряжении базы.
Вот это точно безграмотное утверждение. Напряжение на эмиттере равно напряжению на базе за вычетом 0.6 вольта. И резистор повлиять на сей факт не может. Он преобразует это напряжение в ТОК. Он может влиять только на величину эмиттерного тока. А поскольку ток эмиттера напрямую связан с током базы через бету, этот резистор влияет и на ток базы.

Дай рассчитанную по токам баз схему, мы хоть поржём нормально.
На свой палец похихикай. Хочешь схему - вот тебе схема.
Транзисторный ключ, который включает реле. Напряжение сигнала включения - 24 вольта. Реле потребляет 200 мА. Бета транзистора - 200. Чтобы загнать транзистор с гарантией в насыщение, мне нужно дать ему в базу ток порядка 3-5мА. Считаем резистор последовательно с базой - 24 вольта делим на 3-5 ма. Получаем 5-8 кОм. Выбираю 6.8кОм.
Заметь - про Э-М я нигде не упомянул. Я не высчитывал, какое напряжение мне надо подать между базой и эмиттером. Я высчитывал необходимый ток базы.
Второй пример - какого хрена ты ставишь на выходе тройку Локанти? Ставил бы однушку. Уж не для того ли, чтобы усилить ток базы выходной пары? Если у тебя ток на выходе до 5-7 ампер, а бета всего 100 - ты что, не понимаешь, что тока 5 ма в базу тебе не хватит?
Пример номер три. Схема не моя, но я уже приводил этот пример. Схема Худа. Пара резисторов, которая стоит в нагрузке предвыходного каскада, высчитывается как половина напряжения питания поделить на сумму токов базы выходных транзисторов. А сумма токов базы - удвоенный ток покоя поделить на бету.
 
Псевдосхемотехніки та квазисхемотехніки, які не вивчали фізичних засад електронної техніки, думають, що маючи уяву про пару моделей для специфічних умов їх застосування, але забувши про ці умови, вони знають, як працює транзистор. Ви зробили мій день smile_1
І усвідомте, нарешті, схемотехніка то наука про каскади, в складі яких може бути і транзистор, чи кілька.
Відчуваєте дві різниці? А їх там дві з половиною, насправді.
 
Последнее редактирование:
Тобто джифет і біполярний транзистор керуються однаково?
Нет, конечно. Ясно, что ты далёк от принципов работы ППП.

У ПТ электроны как забежали в дырочную область, оставив после себя дырки, так и сидят там. Далее он работает на запирание канала, то есть, входное напряжение на переходе обратное, и сманивает побольше электронов в дырочные области, запирая канал.

А чтоб заработал биполяр, надо подать напряжение смещения для отпирания эмиттерного перехода в проводящее состояние, возвращающее электроны и дырки по своим квартирам. Заметь, ток эмиттера перехватывается полем коллектора, а ток базы указывает на рекомбинацию эл/дырок в базовом слое, и являет собой дефект метода, который стараются если не устранить на заводе, то купить транзисторы побетистее, бездефектные.
 
И вопросик сразу.У нас мощный германий на выходе, в ОЭ. Попробуем расшевелить его источником тока, идеальным.В идеале это режим оторванной базы.Что он на это скажет,аж интересно.Уточним ситуацию,зашунтируем Б-Э низкоомный резистором.И кого теперь обслуживает наш источник тока,как не того резистора.Падение на котором уже ЭДС, управляющая током базы от источника напряжения. А на деле имеем винегрет из разных идеализированных явлений .
 
А возьмем єтот низкоомный резистор, пусть он будет 8,2 Ом, и подключим его одним концом к базе, а другим к точке соединения эмиттера с не зашунтированным емкостью резистором 1 Ом.
Как это часто принято в германиевых схемах.
Получим для внешнего управляющего тока типичную нагрузку в виде ГСТ, сопротивлением на порядки больше, чем 8,2 Ом.
Но ведь вопрос не в этом. Конструктору по большому счету пофиг на напряжение эмиттер-база, хотя оно всегда какое-то будет в схеме. Он не использует его в расчетах.
Он схему усилителя считает по бэте, и токам баз, эмиттеров. В зависимости от напряжения питания, нагрузки, считает от бэты, и ее возможных изменений. Выбирает не только токи, но и количество выходных каскадов. Надо "двойку", "тройку", или достаточно будет и "единички".
А что такое "бета"? Коэффициент передачи тока базы. Ставим жирную точку.
Плоскоземельцы-"сверхлинейщики" пусть ковыляют себе в свое симуляторное логово.
Что мы будем искать в нормально открытом германиевом джфете?
Начальный ток, крутизну, напряжение отсечки.
 
Последнее редактирование:
а што будет с усилком "рассчитанным по бете" ежели у транзисторов бэта не будет равна рассчётной? даже у подобранных по ней транзисторов она плывёт от тока да и от температуры тоже. а будет дохлая тыква. вот что будет. именно поэтому сей ненадёжный параметр не ставится во главу угла. и только тупорылые канструхтыри до сих пор пытаются, что у них выходит - видно по схемам. хлам всякий.
 
Для єтого считают по самой минимальной возможной бете, которая значится в паспорте на транзистор.
Вот к примеру на один мощный германец разброс беты 10-100. И как считать схему?
Именно поэтому вы пихаете на выход "тройку". Чтобы гарантированно выдать на выходе необходимый ток, при любом разбросе беты.
Положение усугубляется еще и тем, что ваши драйверы высокоомные по выходу, для обеспечения дикого усиления по напряжению. Вам же все мало усиления, надо наганять петлевое.
Следовательно, драйверы жадные на выходной ток.

"Безоосники" меряют свою элементную базу, им этот дикий запас по бете и токам без надобности.
Поэтому и схемотехника у них другая, более экономная, и качество в итоге выше.
Ну и не пихают они в схемы абы что, уповая на сверхглубокую ооос, которвя "все спишет".
 
Последнее редактирование:
Для єтого считают по самой минимальной возможной бете, которая значится в паспорте на транзистор.
Именно поэтому вы пихаете на выход "тройку". Чтобы гарантированно выдать на выходе необходимый ток, при любом разбросе беты.
Положение усугубляется еще и тем, что ваши драйверы высокоомные по выходу, для обеспечения дикого усиления по напряжению. Вам же все мало усиления, надо наганять петлевое.
Следовательно, драйверы жадные на выходной ток.
Примерно по такому принципу считаются схемы для конвейерной сборки и наладки, пихай что есть,должно работать.Любитель подбирает в свои схемы лучшие детали, схема получается простая и предсказуемая. И звучная, если повезёт.
 
Для єтого считают по самой минимальной возможной бете, которая значится в паспорте на транзистор.
Именно поэтому вы пихаете на выход "тройку". Чтобы гарантированно выдать на выходе необходимый ток, при любом разбросе беты.
Просто учитывать базовый ток как паразитный параметр и ставить его как основу для расчетов - вещи разные. Никто тут не утверждал, что базового тока нет и на него не надо обращать внимания. Тройка ставится лишь потому, что БТ неидеален и бета ограничена. Вы в своих рассуждениях даже не осознаете в чем вы ошибаетесь. Хуже полного незнания - только полузнание.
 
Последнее редактирование:
Считать основной параметр "паразитным" - ну не шиза ли это?
Найдите в Шкритеке или Титце-Шенке упоминание о том, что базовый ток БТ "паразитный" параметр.
Примерно по такому принципу считаются схемы для конвейерной сборки и наладки, пихай что есть,должно работать.Любитель подбирает в свои схемы лучшие детали, схема получается простая и предсказуемая. И звучная, если повезёт.
Именно!
С таким диаметрально разным подходом и схемотехника диаметрально разная
 
Последнее редактирование:

Статистика форума

Темы
3,350
Сообщения
269,281
Пользователи
2,576
Новый пользователь
grushar
Назад
Сверху Снизу