УМЗЧ для школьников

[Sergei_S]

это ещё Кенвуды и Ямы делали

Делать делали только в те времена термалтраков не было.

 

[СМЕРШ]

Делать делали только в те времена термалтраков не было.

В том и дело, что ООС работает без термалтраков. В СЛ Агеева их тоже нет.

Вот ДОНЕЦК без термалтраков. Никакой ВВ-ХХИ его не переиграет.

 

[nevermind]

В том и дело, что ООС работает без термалтраков. В СЛ Агеева их тоже нет.

Посмотреть вложение 181825
Вот ДОНЕЦК без термалтраков. Никакой ВВ-ХХИ его не переиграет.

Кстати. На какой выходной мощности снят график?

 

[СМЕРШ]

Жаль. Это как раз очень интересно. А кто в Питере снимал? Земляки - это хорошо.

Дима ... фамилию забыл, а жаба, которой форум достался, тему снесла вообще.

Дима Боков, думаю, найдёшь. У него и платы.

 

[nevermind]

Дима ... фамилию забыл, а жаба, которой форум достался, тему снесла вообще.
Посмотреть вложение 181847
Дима Боков, думаю, найдёшь. У него и платы.

Нижний вывод R13 надо бы с базами соединить, если я не ошибаюсь.

 

[СМЕРШ]

Нижний вывод R13 надо бы с базами соединить, если я не ошибаюсь.

Да. Точно.

 

[nevermind]

Не, не так: в одном ВК, например, NJL3201/1302 и 1941/5200.

Как у Брайстонов?

Вы же ж плату разводить то будете?

Всенепременнейше. PCAD-2006 мне в том помощник.

 

[СМЕРШ]

Как у Брайстонов?

Не знаю, я такого не видел нигде. Но, если Рк.расс равная, то нужно проверить разброс Убэ, токов и в путь.

 

[nevermind]

Не знаю, я такого не видел нигде. Но, если Рк.расс равная, то нужно проверить разброс Убэ, токов и в путь.

Как-то так у них:

 

[СМЕРШ]

Как-то так у них:Посмотреть вложение 182133

Это страшно иногда, что дегенераты вытворяют. Дело в том, что каскад с ОЭ и так в десятки раз узкополоснее, чем с ОК, а они его ещё и ВК всундучили, где полоса - условие качества, да плюс его ток там меняется в широком диапазоне, меняя и бетту, и фт (полосу) - и, следовательно, условия устойчивости. Ужас, что творится.

 

[nevermind]

Это страшно иногда, что дегенераты вытворяют

Я так понимаю, что они специально npn и pnp смешивают, чтобы в этом компоте не играла роль разница между электронной и дырочной проводимостью.
В принципе, в модели устойчивость была, но в железе я не проверял. Хотя вроде серийность у них (у Bryston то есть) есть. Кстати, в одном из Yes'ов Брагина тоже такое включение присутствует.

 

[СМЕРШ]

Я так понимаю, что они специально npn и pnp смешивают, чтобы в этом компоте не играла роль разница между электронной и дырочной проводимостью.

Та не. Не надо подводить под простую идиотию серьёзную научную базу. Можешь просто сделать с одним и тем же УН 2 УМ с 3-ОК-ВК и Шиклаи, и послушать. Это страшный суд, а не музыка.

 

[Drone R2D2]

Задаётся напряжение на базе, оно термозависимое. С эмиттера работает напряжение ООС по току.

Напряжение задается с 0.2 Ом?
Там милливольты должны бить по идее. А транзистор открыть - нужен ток через резистор более двух А.
Пока невкуриваю. Сорри.

 

[Святослав_]

Кого ви читаєте, то несерйозний тип, балабол.

 

[СМЕРШ]

Там милливольты должны бить по идее. А транзистор открыть - нужен ток через резистор более двух А.

Нормальное напряжение на эмиттерном резисторе - 25 мВ по критерию линейности ВК. Как видим, бредовый ток базы никто не задаёт.
Ну, и меж базами 1кВК тоже задаётся

- Ток?! Ну, базы же, скажи! Я конструктор, ток базы же задаётся?

- Нет. Транзисторам ВСЕГДА напряжение базы ЗАДАЁТСЯ ТОЧНО, а расход на ток базы УЧИТЫВАЕТСЯ в выборе тока делителя, предыдущего каскада или выходного каскада УН 5...6 мА, с запасом, против 50 мкА паразитного тока. И вообще, транзистор управляется напряжением и рассчитывается тоже напряжениями, что бы там безграмотные конструкторы не верещали.

Я тут сверхлинейщик.

 

[СМЕРШ]

Кого ви читаєте, то несерйозний тип, балабол.

Вот тут интересная схемка. По постоянке первый каскад управляется током базы через рез.7. И мы сразу видим волшебное: резистор этот надо подбирать ВРУЧНУЮ - немыслимый позор. Режимы автоматически не стабилизируются, позор два.

 

[Динозавр]

напряжение базы

Напряжение смещения транзисторов каскада УМ (УТ)

 

[СМЕРШ]

Напряжение смещения транзисторов каскада УМ (УТ)

Когда же оно задавалось током баз?
Ток баз - параметр ненадёжный, разбросовый, на него только идиоты могут полагаться - чтобы побольше руками резисторы подбирать, а режимы чтоб шарахались от температуры и замены транзисторов.

 

[nevermind]

Наткнулся на очередного дебила.
https://www.rlocman.ru/forum/showpost.php?p=406829&postcount=86 и далее по треду вниз.
Ржака.

 

[Алексей1]

В принципе, в модели устойчивость была,

Даже корделловские модели выходников не имеют правдоподобной зависимости fT от Ic, только мои, попробуй с ними:

.model mjl3281_AC npn (is=5p bf=160 vaf=200 ikf=30 ise=20p ne=1.5 nf=1 rb=3
+ rc=0.1 cje=11n mje=0.35 vje=0.5 cjc=1.2n mjc=0.5 vjc=0.6 fc=0.1 tf=2.5n xtf=600000
+ vtf=3 itf=6k tr=100n br=5 var=4.3 nr=1.1 eg=1.1 xtb=0.12 xti=1 nc=4 isc=0.3p
+ ikr=4.4 nk=0.77 xcjc=0.1 rb=1)

.MODEL BD139C_AC npn (IS=120e-15 BF=113 VAF=140 IKF=1.5 ISE=1000e-15 NE=1.5 NF=1 RB=5 RC=0.01
+ RE=0.1 CJE=220e-12 MJE=0.35 VJE=0.7 CJC=68e-12 MJC=0.35 VJC=0.6 XCJC=0.5 FC=0.5 TF=800p
+ XTF=10000 VTF=35 ITF=20 TR=100e-9 BR=25 IKR=0.1 EG=1.2 XTB=0.12 XTI=1 NC=1.4 ISC=7e-12 NR=1.0
+ VAR=8 IRB=0.01 RBM=0.01 mfg=Ya)

.MODEL C5171_AC NPN (XTB=0.12 BF=200 BR=122m CJC=48p CJE=100p FC=0.5 IKF=2 IKR=10m IS=10f
+ ISC=0.26f ISE=200f ITF=2000 VTF=3 XTF=100000 MJC=0.36 MJE=0.33 NE=1.4 NF=859m RB=1.8 RC=35m RE=0.11
+ TF=400p TR=10n VAF=100 VAR=20 VJC=0.5 VJE=0.67 XTI=1)

 

[Святослав_]

Когда же оно задавалось током баз?
Ток баз - параметр ненадёжный, разбросовый, на него только идиоты могут полагаться - чтобы побольше руками резисторы подбирать, а режимы чтоб шарахались от температуры и замены транзисторов.

Ток базы легко считается по индивидуальным характеристикам транзистора. Но его бета зависит от температуры. Поэтому чаще всего ток базы задают делителем, пропускающим на порядок-два больше тока. Есть еще схемы, где с такого делителя ток в базу подается через более высокоомный резистор, для большего входного сопротивления схемы. Есть стабильные схемы где ток базы задается чисто резистором, пущенным в качестве местной параллельной оос. с коллекторной резистивной нагрузки. Все это известно с момента появления биполярного транзистора.
Приведи фразу из учебника, или справочника, что ток базы "паразитный параметр", а не основной, базовый. Где об этом написано в Шкритеке, Шенке?
Посмотрим, насколько ты безграмотный "сверхлинейщик".

 

[СМЕРШ]

Ток базы легко считается по индивидуальным характеристикам транзистора.

Хотите упороть завод? - зовите Святослава. Он прикажет мерять бетту у всех транзисторов - вуаля, завод обанкрочен ненужной технологической операцией.
Спасибо, Святослав!

Обращайтесь, лучший спец по глупым решениям.

Поэтому чаще всего ток базы задают делителем, пропускающим на порядок-два больше тока.

Это называется: задать потенциал базы. На ток базы никто не полагается. Но Святослав щас выкрутит, что задание стократно большего тока делителя в базе - это токовое управление.

Где об этом написано в Шкритеке, Шенке?

Там нет и того, что вода мокрая, а небо вверху. Чтобы увеличить ток эмиттера в 10 раз, надо изменить Убэ на 25 мВ. Это база. Азы.

Принцип работы​

1. Образование переходного слоя. При контакте полупроводников p- и n-типов возникает диффузия: электроны из n-области переходят в p-область, а дырки — в обратном направлении. В результате в n-области вблизи границы образуется избыточный положительный заряд (из-за неподвижных ионов донорной примеси), а в p-области — избыточный отрицательный заряд (из-за ионов акцепторной примеси). resh.edu.ruportal.tpu.rubigenc.ru
2. Образование электрического поля. Разноимённые заряды на границе создают контактное электрическое поле, которое препятствует дальнейшей диффузии электронов и дырок. Это поле создаёт потенциальный барьер, который нужно преодолеть основным носителям заряда для перемещения через переход. bigenc.rufn.bmstu.rufn.bmstu.ru

Потенциальный барьер, ферштеген? Это азы.

То есть: чтобы возник ток базы, СНАЧАЛА надо подать на неё НАПРЯЖЕНИЕ, выше запирающего потенциального барьера. Для кремния - выше 450 мВ, для германия - выше 150 мВ.

Вот его-то и задают при проектировании схем. А на ток базы кладут: какой получится, такой получится, никто его не проверяет и не контролирует.

 

[vitamir]

Ток базы легко считается по индивидуальным характеристикам транзистора. Но его бета зависит от температуры. Поэтому чаще всего ток базы задают делителем, пропускающим на порядок-два больше тока. Есть еще схемы, где с такого делителя ток в базу подается через более высокоомный резистор, для большего входного сопротивления схемы. Есть стабильные схемы где ток базы задается чисто резистором, пущенным в качестве местной параллельной оос. с коллекторной резистивной нагрузки. Все это известно с момента появления биполярного транзистора.
Приведи фразу из учебника, или справочника, что ток базы "паразитный параметр", а не основной, базовый. Где об этом написано в Шкритеке, Шенке?
Посмотрим, насколько ты безграмотный "сверхлинейщик".

Не ганьбіться, схемотехніка то не Ваше.
Того, що Ви думаєте, що знаєте про біполярний транзистор, недостатньо, аби з розумним виглядом на обличчі базікати проміж тут про схемотехнічні особливості їх використання. Тим більше, когось чомусь навчати, дітей, в першу чергу.